Air-cavity dominant vertical cavity surface emitting lasers

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	Air-cavity dominant vertical cavity surface emitting lasers
其他题名	Air-cavity dominant vertical cavity surface emitting lasers
	CHANG-HASNAIN, CONNIE; QIAO, PENGFEI; COOK, KEVIN
	2019-05-02
专利权人	THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA
公开日期	2019-05-02
授权国家	世界知识产权组织
专利类型	发明申请
摘要	Vertical-cavity surface-emitting laser (VCSEL) structures are described which enable their use as widely wavelength-swept coherent light sources and multiple-wavelength VCSEL arrays. Three general configurations are described: (a) a semiconductor-cavity-dominant (SCD) with high reflection at the semiconductor-air interface, (b) an extended-cavity (EC) design in which reflections at the semiconductor-air interface is reduced to insignificance compared to the SCD design with a refractive index-matched layer (i.e., AR layer) so the entire structure resonates as one cavity, and (c) an air-cavity-dominant (ACD) design which facilitates a larger field confinement in the air gap, and the increased field confinement causes the air gap to be the dominant cavity.
其他摘要	描述了垂直腔表面发射激光器（VCSEL）结构，其使得它们能够用作宽波长扫描相干光源和多波长VCSEL阵列。描述了三种一般配置：（a）在半导体 - 空气界面处具有高反射的半导体腔主导（SCD），（b）扩展腔（EC）设计，其中半导体 - 空气界面处的反射减少与具有折射率匹配层（即AR层）的SCD设计相比无意义，因此整个结构作为一个腔谐振，以及（c）气腔占优势（ACD）设计，这有利于更大的场限制气隙和增加的场限制导致气隙成为主导腔。
主权项	-
申请日期	2018-04-11
专利号	WO2019013846A3
专利状态	未确认
申请号	PCT/US2018/027109
公开（公告）号	WO2019013846A3
IPC 分类号	H01S5/183 \| H01S5/187 \| H01S5/026 \| H01S5/10 \| H01S5/343 \| H01S5/022
专利代理人	O'BANION, JOHN
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55211
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA
推荐引用方式 GB/T 7714	CHANG-HASNAIN, CONNIE,QIAO, PENGFEI,COOK, KEVIN. Air-cavity dominant vertical cavity surface emitting lasers. WO2019013846A3[P]. 2019-05-02.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
WO2019013846A3.PDF（62KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文