Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
用于制造激光二极管条的方法和激光二极管条 | |
其他题名 | 用于制造激光二极管条的方法和激光二极管条 |
斯文·格哈德; 安德烈亚斯·莱夫勒 | |
2019-04-19 | |
专利权人 | 欧司朗光电半导体有限公司 |
公开日期 | 2019-04-19 |
授权国家 | 中国 |
专利类型 | 发明申请 |
摘要 | 描述一种制造激光二极管条的方法,包括如下步骤:制造多个彼此并排设置的发射体,其中发射体分别具有半导体层序列,半导体层序列具有适合于产生激光辐射的有源层、p型接触部和n型接触部;检查发射体的至少一个光学和/或电学特性,将光学和/或电学特性处于预设的理论值范围之内的发射体与第一发射体的组相关联,并且将光学和/或电学特性处于预设的理论值范围之外的发射体与第二发射体的组相关联;将电绝缘层至少施加到第二发射体的p型接触部上;通过将p型联接层施加到第一发射体的p型接触部上来电接触第一发射体的p型接触部,其中通过电绝缘层将第二发射体的p型接触部与p型联接层电绝缘。此外,提出可借助该方法制造的激光二极管条。 |
其他摘要 | 描述一种制造激光二极管条的方法,包括如下步骤:制造多个彼此并排设置的发射体,其中发射体分别具有半导体层序列,半导体层序列具有适合于产生激光辐射的有源层、p型接触部和n型接触部;检查发射体的至少一个光学和/或电学特性,将光学和/或电学特性处于预设的理论值范围之内的发射体与第一发射体的组相关联,并且将光学和/或电学特性处于预设的理论值范围之外的发射体与第二发射体的组相关联;将电绝缘层至少施加到第二发射体的p型接触部上;通过将p型联接层施加到第一发射体的p型接触部上来电接触第一发射体的p型接触部,其中通过电绝缘层将第二发射体的p型接触部与p型联接层电绝缘。此外,提出可借助该方法制造的激光二极管条。 |
主权项 | 一种用于制造激光二极管条(10)的方法,所述方法包括如下步骤: -制造多个彼此并排设置的发射体(1,2),其中所述发射体(1,2)分别具有半导体层序列(9)、p型接触部(6)和n型接触部(7),所述半导体层序列具有适合于产生激光辐射的有源层(4), -检查所述发射体(1,2)的至少一个光学和/或电学特性,其中将光学和/或电学特性处于预设的理论值范围之内的发射体(1)与第一发射体(1)的组相关联,并且将光学和/或电学特性处于预设的理论值范围之外的发射体(2)与第二发射体(2)的组相关联, -将电绝缘层(8)至少施加到所述第二发射体(2)的所述p型接触部(6)上, -通过将p型联接层(14)施加到所述第一发射体(1)的所述p型接触部(6)上来电接触所述第一发射体(1)的所述p型接触部(6),其中通过所述电绝缘层(8)将所述第二发射体(2)的所述p型接触部与所述p型联接层(14)电绝缘。 |
申请日期 | 2018-10-11 |
专利号 | CN109659813A |
专利状态 | 申请中 |
申请号 | CN201811183129.5 |
公开(公告)号 | CN109659813A |
IPC 分类号 | H01S5/40 | H01S5/32 |
专利代理人 | 丁永凡 | 张春水 |
代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55175 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 欧司朗光电半导体有限公司 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 斯文·格哈德,安德烈亚斯·莱夫勒. 用于制造激光二极管条的方法和激光二极管条. CN109659813A[P]. 2019-04-19. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
CN109659813A.PDF(523KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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