一种半导体激光器及其制备方法

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	一种半导体激光器及其制备方法
其他题名	一种半导体激光器及其制备方法
	佟存柱; 宿家鑫; 汪丽杰; 舒世立; 田思聪; 张新; 王立军
	2019-03-08
专利权人	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
公开日期	2019-03-08
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开了一种半导体激光器，在传输层背向衬底一侧表面的内脊区设置有剪裁损耗区，在剪裁损耗区设置有盲孔，该盲孔的底面与第二包层朝向衬底一侧表面的距离小于传输层中倏逝波长度。该盲孔可以通过影响倏逝波来影响半导体激光器中光线传输的光场特性。由于剪裁损耗区为与内脊区任一长边的距离小于内脊区宽边长度的25％，且与内脊区任一宽边的距离小于内脊区长边长度的20％的区域，使得盲孔可以有效的增加半导体激光器中高阶模式的损耗，提高激光的光束质量；同时由于不需要减小半导体激光器波导的宽度，使得半导体激光器具有较高的亮度。本发明还提供了一种半导体激光器的制备方法，所制得的半导体激光器同样具有上述有益效果。
其他摘要	本发明公开了一种半导体激光器，在传输层背向衬底一侧表面的内脊区设置有剪裁损耗区，在剪裁损耗区设置有盲孔，该盲孔的底面与第二包层朝向衬底一侧表面的距离小于传输层中倏逝波长度。该盲孔可以通过影响倏逝波来影响半导体激光器中光线传输的光场特性。由于剪裁损耗区为与内脊区任一长边的距离小于内脊区宽边长度的25％，且与内脊区任一宽边的距离小于内脊区长边长度的20％的区域，使得盲孔可以有效的增加半导体激光器中高阶模式的损耗，提高激光的光束质量；同时由于不需要减小半导体激光器波导的宽度，使得半导体激光器具有较高的亮度。本发明还提供了一种半导体激光器的制备方法，所制得的半导体激光器同样具有上述有益效果。
主权项	一种半导体激光器，其特征在于，包括衬底、传输层、第一电极和第二电极；所述传输层位于所述衬底的第一表面；其中，所述传输层包括位于所述第一表面的第一包层、位于所述第一包层背向所述衬底一侧表面的波导层、和位于所述波导层背向所述衬底一侧表面的第二包层；所述传输层呈脊型；所述传输层背向所述衬底一侧表面的内脊区包括剪裁损耗区，所述剪裁损耗区为与所述内脊区任一长边的距离小于内脊区宽边长度的25％，且与所述内脊区任一宽边的距离小于内脊区长边长度的20％的区域；所述剪裁损耗区设置有盲孔，所述盲孔的底面与所述第二包层朝向所述衬底一侧表面的距离小于所述传输层中倏逝波长度；所述第一电极位于所述传输层背向所述衬底一侧表面的内脊区；所述第二电极位于所述衬底与所述第一表面相对的第二表面。
申请日期	2018-12-25
专利号	CN109449756A
专利状态	申请中
申请号	CN201811593627.7
公开（公告）号	CN109449756A
IPC 分类号	H01S5/22 \| H01S5/32 \| H01S5/065
专利代理人	罗满
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55049
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	佟存柱,宿家鑫,汪丽杰,等. 一种半导体激光器及其制备方法. CN109449756A[P]. 2019-03-08.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN109449756A.PDF（668KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文