在二维均匀栅格VCSEL阵列上创建任意图案

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	在二维均匀栅格VCSEL阵列上创建任意图案
其他题名	在二维均匀栅格VCSEL阵列上创建任意图案
	林劲翰; 李卫平; 范晓峰
	2019-03-05
专利权人	苹果公司
公开日期	2019-03-05
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明题为“在二维均匀栅格VCSEL阵列上创建任意图案”。本发明公开了一种光电设备，所述光电设备包括半导体基板和在半导体基板上形成的光电池阵列。光电池阵列包括第一外延层，所述第一外延层限定下分布式布拉格反射器(DBR)叠层；第二外延层，所述第二外延层在所述下DBR叠层上形成并限定量子阱结构；第三外延层，所述第三外延层在所述量子阱结构上形成并限定上DBR叠层；以及在上DBR叠层上形成的电极，所述电极可被配置为将激发电流注入到每个光电池的量子阱结构中。第一组光电池被配置为响应于激发电流而发射激光辐射。在与第一组交织的第二组光电池中，光电池的选自外延层和电极的至少一个元件被配置为使得第二组中的光电池不发射激光辐射。
其他摘要	本发明题为“在二维均匀栅格VCSEL阵列上创建任意图案”。本发明公开了一种光电设备，所述光电设备包括半导体基板和在半导体基板上形成的光电池阵列。光电池阵列包括第一外延层，所述第一外延层限定下分布式布拉格反射器(DBR)叠层；第二外延层，所述第二外延层在所述下DBR叠层上形成并限定量子阱结构；第三外延层，所述第三外延层在所述量子阱结构上形成并限定上DBR叠层；以及在上DBR叠层上形成的电极，所述电极可被配置为将激发电流注入到每个光电池的量子阱结构中。第一组光电池被配置为响应于激发电流而发射激光辐射。在与第一组交织的第二组光电池中，光电池的选自外延层和电极的至少一个元件被配置为使得第二组中的光电池不发射激光辐射。
主权项	一种光电设备，包括：半导体基板；和光电池阵列，所述阵列在所述半导体基板上形成并且包括：第一外延层，所述第一外延层限定下分布式布拉格反射器(DBR)叠层；第二外延层，所述第二外延层在所述下DBR叠层上形成并限定量子阱结构；第三外延层，所述第三外延层在所述量子阱结构上形成并限定上DBR叠层；和电极，所述电极在所述上DBR叠层上形成，所述电极可被配置为将激发电流注入到每个光电池的量子阱结构中，其中所述阵列包括第一组光电池和与所述第一组光电池交织的第二组光电池，所述第一组光电池被配置为响应于所述激发电流而发射激光辐射，其中所述光电池中选自所述外延层和所述电极的至少一个元件被配置为使得所述第二组中的所述光电池不发射所述激光辐射。
申请日期	2018-08-13
专利号	CN109428261A
专利状态	申请中
申请号	CN201810914530.5
公开（公告）号	CN109428261A
IPC 分类号	H01S5/12 \| H01S5/34
专利代理人	边海梅
代理机构	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55045
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	苹果公司
推荐引用方式 GB/T 7714	林劲翰,李卫平,范晓峰. 在二维均匀栅格VCSEL阵列上创建任意图案. CN109428261A[P]. 2019-03-05.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN109428261A.PDF（1614KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文