垂直腔面发射量子级联激光器

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	垂直腔面发射量子级联激光器
其他题名	垂直腔面发射量子级联激光器
	程凤敏; 张锦川; 王东博; 赵越; 刘峰奇; 卓宁; 王利军; 刘俊岐; 刘舒曼; 王占国
	2019-03-01
专利权人	中国科学院半导体研究所
公开日期	2019-03-01
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开了一种垂直腔面发射量子级联激光器，包括：量子点有源区层，在激光器有源区的每个周期中插入量子点插层形成量子点有源区层；分布布拉格反射镜层和光栅层，分布布拉格反射镜层结合光栅层构成垂直方向的谐振腔，实现面发射。本发明通过在一个有源区层中适当位置引入量子点插层，量子点态作为电子辐射跃迁的末态，使器件的辐射模式有垂直于量子阱平面的电场分量，能够制成传统的垂直腔面发射激光器。一方面，能够提高器件的功率、转化效率，降低阈值电流；另一方面，能够显著降低器件的尺寸，减小阈值电流。
其他摘要	本发明公开了一种垂直腔面发射量子级联激光器，包括：量子点有源区层，在激光器有源区的每个周期中插入量子点插层形成量子点有源区层；分布布拉格反射镜层和光栅层，分布布拉格反射镜层结合光栅层构成垂直方向的谐振腔，实现面发射。本发明通过在一个有源区层中适当位置引入量子点插层，量子点态作为电子辐射跃迁的末态，使器件的辐射模式有垂直于量子阱平面的电场分量，能够制成传统的垂直腔面发射激光器。一方面，能够提高器件的功率、转化效率，降低阈值电流；另一方面，能够显著降低器件的尺寸，减小阈值电流。
主权项	一种垂直腔面发射量子级联激光器，其特征在于，包括：量子点有源区层，在所述激光器有源区的每个周期中插入量子点插层形成量子点有源区层；分布布拉格反射镜层和光栅层，所述分布布拉格反射镜层结合光栅层构成垂直方向的谐振腔，实现面发射。
申请日期	2018-12-11
专利号	CN109412018A
专利状态	申请中
申请号	CN201811514763
公开（公告）号	CN109412018A
IPC 分类号	H01S5/183 \| H01S5/343
专利代理人	张宇园
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55031
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院半导体研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	程凤敏,张锦川,王东博,等. 垂直腔面发射量子级联激光器. CN109412018A[P]. 2019-03-01.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN109412018A.PDF（628KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文