一种双波长半导体激光器芯片结构

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	一种双波长半导体激光器芯片结构
其他题名	一种双波长半导体激光器芯片结构
	苏建; 李沛旭; 汤庆敏; 夏伟; 肖成峰
	2019-02-12
专利权人	山东华光光电子股份有限公司
公开日期	2019-02-12
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	一种双波长半导体激光器芯片结构，包括：外延片Ⅰ，其下端面设置有向外凸起的条形发光区，条形发光区的宽度为3‑4μm；以及外延片Ⅱ，其上端面设置有向内凹陷的槽形发光区，槽形发光区的宽度为8‑10μm；外延片Ⅰ下端面与外延片Ⅱ的上端面粘合固定，所述条形发光区插装于对应的槽形发光区中。通过粘合工艺将外延片Ⅰ及外延片Ⅱ粘合，同时外延片Ⅰ上的条形发光区插入外延片Ⅱ上的槽形发光区中，从而形成一个激光器芯片同时出射两种波长激光的特性，其制作过程简单，可以充分应用到双波长激光器医疗领域和夜视枪瞄领域。由于不需要利用光线耦合技术以及复杂的光学透镜，因此极大的降低了双波长半导体激光器的制造成本。
其他摘要	一种双波长半导体激光器芯片结构，包括：外延片Ⅰ，其下端面设置有向外凸起的条形发光区，条形发光区的宽度为3‑4μm；以及外延片Ⅱ，其上端面设置有向内凹陷的槽形发光区，槽形发光区的宽度为8‑10μm；外延片Ⅰ下端面与外延片Ⅱ的上端面粘合固定，所述条形发光区插装于对应的槽形发光区中。通过粘合工艺将外延片Ⅰ及外延片Ⅱ粘合，同时外延片Ⅰ上的条形发光区插入外延片Ⅱ上的槽形发光区中，从而形成一个激光器芯片同时出射两种波长激光的特性，其制作过程简单，可以充分应用到双波长激光器医疗领域和夜视枪瞄领域。由于不需要利用光线耦合技术以及复杂的光学透镜，因此极大的降低了双波长半导体激光器的制造成本。
主权项	一种双波长半导体激光器芯片结构，其特征在于，包括：外延片Ⅰ（1），其下端面设置有向外凸起的条形发光区（3），所述条形发光区（3）的宽度为3-4；以及外延片Ⅱ（2），其上端面设置有向内凹陷的槽形发光区（4），所述槽形发光区（4）的宽度为8-10；所述槽形发光区（4）的深度与条形发光区（3）的高度相匹配，所述外延片Ⅰ（1）下端面与外延片Ⅱ（2）的上端面粘合固定，所述条形发光区（3）插装于对应的槽形发光区（4）中。
申请日期	2017-08-01
专利号	CN109326959A
专利状态	申请中
申请号	CN201710644176.4
公开（公告）号	CN109326959A
IPC 分类号	H01S5/30 \| H01S5/40
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/54995
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	山东华光光电子股份有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	苏建,李沛旭,汤庆敏,等. 一种双波长半导体激光器芯片结构. CN109326959A[P]. 2019-02-12.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN109326959A.PDF（261KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文