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光電半導體裝置
其他题名光電半導體裝置
陳彥文; 陳威佑; 王健源; 謝明勳; 陳澤澎
2010-06-01
专利权人晶元光電股份有限公司
公开日期2010-06-01
授权国家中国台湾
专利类型发明申请
摘要一種半導體光電元件,包含:一基板;一半導體系統,包含一主動層形成於基板之上;及一電極結構,形成於半導體系統之上,此電極結構包含:一第一電性接觸區或第一電性打線墊,一第二電性打線墊,一第一電性延伸線路,及一第二電性延伸線路,其中第一電性延伸線路與第二電性延伸線路以立體跨接方式交錯,且部分第一電性延伸線路與第一電性接觸區或第一型打線墊位在主動層之相異兩側。
其他摘要一種半導體光電元件,包含:一基板;一半導體系統,包含一主動層形成於基板之上;及一電極結構,形成於半導體系統之上,此電極結構包含:一第一電性接觸區或第一電性打線墊,一第二電性打線墊,一第一電性延伸線路,及一第二電性延伸線路,其中第一電性延伸線路與第二電性延伸線路以立體跨接方式交錯,且部分第一電性延伸線路與第一電性接觸區或第一型打線墊位在主動層之相異兩側。
主权项-
申请日期2008-11-26
专利号TW201021242A
专利状态授权
申请号TW097146075
公开(公告)号TW201021242A
IPC 分类号H01L33/62 | H01L21/28 | H01S5/00 | H01L33/00
专利代理人-
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/54055
专题半导体激光器专利数据库
作者单位晶元光電股份有限公司
推荐引用方式
GB/T 7714
陳彥文,陳威佑,王健源,等. 光電半導體裝置. TW201021242A[P]. 2010-06-01.
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TW201021242A.PDF(4392KB)专利 开放获取CC BY-NC-SA请求全文
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