Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザ素子の製造方法および半導体レーザ素子 | |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子の製造方法および半導体レーザ素子 |
| 畑 雅幸; 久納 康光; 別所 靖之 | |
| 2008-10-16 | |
| 专利权人 | SANYO ELECTRIC CO LTD |
| 公开日期 | 2008-10-16 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】半導体レーザ素子部の幅を小さくする場合にも、半導体レーザ素子の取り扱い(ハンドリング)が困難になるのを抑制することが可能な半導体レーザ素子の製造方法を提供する。 【解決手段】この半導体レーザ素子の製造方法では、GaN基板50上に、共振器の延びる方向と交差するD方向に所定の間隔を隔てて複数の半導体レーザ素子部80を形成する工程と、複数の半導体レーザ素子部80のうちの一部を、支持基板31に接合する工程と、支持基板31を、共振器の延びるC方向に分割する工程とを備えている。 【選択図】図21 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：提供一种制造半导体激光元件的方法，即使在要减小半导体激光元件的宽度时，也可以抑制半导体激光元件的处理变得困难。解决方案：制造半导体激光器元件的方法包括在GaN衬底50上以与谐振器的延伸方向交叉的方向D上的预定间隔制造多个半导体激光器元件80的步骤，用于键合a的步骤多个半导体激光元件80的一部分到支撑基板31，以及用于在谐振器的延伸方向C上分割支撑基板31的步骤。Ž |
| 主权项 | - |
| 申请日期 | 2008-02-12 |
| 专利号 | JP2008252069A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP2008030808 |
| 公开（公告）号 | JP2008252069A |
| IPC 分类号 | H01S5/022 | H01S5/40 | H01S5/00 |
| 专利代理人 | 宮園 博一 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/51617 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SANYO ELECTRIC CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 畑 雅幸,久納 康光,別所 靖之. 半導体レーザ素子の製造方法および半導体レーザ素子. JP2008252069A[P]. 2008-10-16. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP2008252069A.PDF（471KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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