Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| III族窒化物半導体素子 | |
| 其他题名 | III族窒化物半導体素子 |
| 寺嶋 一高; 宇田川 隆 | |
| 2000-01-07 | |
| 专利权人 | 昭和電工株式会社 |
| 公开日期 | 2000-01-07 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】 GaAsを基板として、連続性と結晶性に優れる立方晶のIII 族窒化物半導体結晶層からなる発光部を構成して発光特性に優れるIII 族窒化物半導体発光素子を得る。 【解決手段】 GaAs基板上にBP系材料からなる低温緩衝層を設ける。低温緩衝層上にはBPN混晶またはBAsN混晶からなる接合層を設ける。この積層系を下地として結晶性に優れるIII 族窒化物半導体結晶層からなる発光部を構成する。 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：通过构成与氮化硼磷化物三元素混合晶体或氮化硼砷化物三元素混合晶体的缓冲层结合的III族氮化物半导体晶体层，发射光学和电学特性均优异的短波长可见光。解决方案：衬底101由硅掺杂的n型砷化镓制成，并且通过三氯化硼/三氯化磷/氢基卤化物VPE方法形成未掺杂的n型磷化硼（BP）的缓冲层102。磷化硼聚合物晶体的浓度设定为小于主要包括缓冲层102的BP的2％。由金属沉积膜构成的p型欧姆电极111布置在层压结构1的最上面的接触层110和n上。在n型GaAs衬底101的背面上提供作为“实心”整个表面电极的欧姆电极112.随后，在构成a的GaAs衬底tus的正交[011]晶向上切割层叠结构1。 III氮化物半导体LED 3。 |
| 主权项 | - |
| 申请日期 | 1998-06-15 |
| 专利号 | JP2000004046A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1998167305 |
| 公开（公告）号 | JP2000004046A |
| IPC 分类号 | H01S5/30 | H01S5/323 | H01L33/12 | H01L33/32 | H01S5/00 | H01L33/00 |
| 专利代理人 | 矢口 平 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/51187 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 昭和電工株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 寺嶋 一高,宇田川 隆. III族窒化物半導体素子. JP2000004046A[P]. 2000-01-07. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP2000004046A.PDF（44KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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