3族窒化物半導体素子及びその製造方法

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	3族窒化物半導体素子及びその製造方法
其他题名	3族窒化物半導体素子及びその製造方法
	小池正好
	1999-01-29
专利权人	TOYODA GOSEI CO LTD
公开日期	1999-01-29
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】ミスフィット転位及び刃状転位の発生を防止し, 結晶性を高めること。【解決手段】基板1の温度を900℃にしてN2又はH2,NH3, 及びトリメチルガリウム(TMG)をそれぞれ所定量供給して, 膜厚約35ÅのGaNから成るバリア層51を形成し, 基板1の温度を600℃まで低下させ,N2又はH2,NH3及びTMGをそれぞれ所定量供給すると共にトリメチルインジウムの供給量を変化させ, 膜厚約35Åの井戸層52を形成する。井戸層52におけるIn組成比は,バリア層51との界面位置T1,T3ではバリア層51のIn組成比と略等しく, 厚さ方向に沿った中央位置T2においては最大になるように, 厚さ方向に沿ってIn組成比が連続的に変化するように形成されるので,井戸層52は界面において格子が滑らかに結合され,ミスフィット転位の発生が抑制される。又,井戸層52はIn組成比が厚さ方向に沿って連続的に変化するので,熱膨張係数差に伴って生ずる刃状転位の発生を防止でき,結晶性が向上する。
其他摘要	要解决的问题防止错配位错和边缘位错的发生并提高结晶度。解决方案：将基板1的温度设定为900℃，使得N 2 或H 2 ，NH 3 和三甲基镓并且形成由GaN制成的膜厚度为约的阻挡层51，并且将基板1的温度降低至600℃以形成N 2 或H 2 3 和TMG，并改变三甲基铟的供应量以形成膜厚度为约的阱层52。在阱层52的组成比中，阻挡层51Ť 1 ，T之间的界面位置 3 基本上等于势垒层51的In组成比在厚度方向上In组分比沿着厚度方向连续变化，以便在沿着阱层52的中心位置T 2 处最大化。因此，在界面处形成阱层52晶格平滑地耦合，并且抑制了失配位错的发生。另外，由于阱层52的In组分比沿厚度方向连续变化，因此可以防止由热膨胀系数的差异引起的边缘位错的发生，并且改善结晶性。
主权项	-
申请日期	1997-07-01
专利号	JP1999026812A
专利状态	失效
申请号	JP1997191810
公开（公告）号	JP1999026812A
IPC 分类号	H01S5/323 \| H01S5/343 \| H01L33/42 \| H01L33/06 \| H01L33/32 \| H01S5/00 \| H01L33/20 \| H01L33/00 \| H01S3/18
专利代理人	藤谷修
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/51108
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	TOYODA GOSEI CO LTD
推荐引用方式 GB/T 7714	小池正好. 3族窒化物半導体素子及びその製造方法. JP1999026812A[P]. 1999-01-29.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1999026812A.PDF（30KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文