適合層メタライゼーション

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	適合層メタライゼーション
其他题名	適合層メタライゼーション
	ガスタブエドワードダーキッツ,ジュニヤ; ジョーゼアルメイダローレンコ; ラメシュアール.ヴァーマ
	1996-08-20
专利权人	エイ·ティ·アンド·ティ·コーポレーション
公开日期	1996-08-20
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】本発明は適合層メタライゼーションを提供する。【解決手段】半導体及び半導体サブマウント間に生じる熱的及び機械的応力を軽減するための、適合層メタライゼーションである。適合層メタライゼーションは適合層、湿潤層及び障壁層を含む。適合層は熱的及び機械的応力を軽減する。湿潤層ははんだづけ中、適切に湿潤させる。障壁層ははんだボンディング中、ボンディング材料が適合層又は半導体に拡散するのを、防止する。
其他摘要	要解决的问题：通过在半导体和半导体子安装座之间布置自适应层金属化，最小化在焊接期间热和机械地引入半导体的应力。解决方案：在半导体边界面302和硬AuSn焊料接合106之间将半导体激光器104的p侧引入自适应层206.为自适应层206选择金，以提供高导热率，同时抑制半导体器件104上的机械应力。在自适应层206和硬焊料键合106之间引入阻挡层208，并且在阻挡层208和硬焊料键合106之间引入湿层210.通过具有自适应层如图204所示，由热和机械地构成由多个层206,208和210构成，在焊料接合期间可以使引入半导体的应力最小化。
主权项	-
申请日期	1995-11-22
专利号	JP1996213713A
专利状态	失效
申请号	JP1995303210
公开（公告）号	JP1996213713A
IPC 分类号	H01L23/34 \| H01L \| H01S \| H01S5/02 \| H01S5/00 \| H01S5/022 \| H01L23/373 \| H01L21/52 \| H01S3/18
专利代理人	岡部正夫 (外2名)
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/51001
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	エイ·ティ·アンド·ティ·コーポレーション
推荐引用方式 GB/T 7714	ガスタブエドワードダーキッツ,ジュニヤ,ジョーゼアルメイダローレンコ,ラメシュアール.ヴァーマ. 適合層メタライゼーション. JP1996213713A[P]. 1996-08-20.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1996213713A.PDF（92KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文