化合物半導体ウェーハの接着方法

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	化合物半導体ウェーハの接着方法
其他题名	化合物半導体ウェーハの接着方法
	フレッド·エイ·キッシュ·ジュニア; デイヴィッド·エイ·ヴァンダーウォーター
	1995-08-18
专利权人	フィリップスルミレッズライティングカンパニーリミテッドライアビリティカンパニー
公开日期	1995-08-18
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【目的】 2つの半導体表面の接着界面上の転移と点欠陥を最小にでき、かつ低い電気抵抗を有するオーミック伝導を生じる化合物半導体ウェーハの接着方法を提供することを目的とする。【構成】 In0.Ga0.7 P層はTeをn形ドーパントとして利用してGaP:S基板上に格子をずらせた状態で有機金属CVDによって成長させ、化合物半導体としてグラファイト製アンビル固定具内で単軸圧力を加えて加熱し、半導体表面の表面配向と回転方向位置とを一致させ、n形In0.Ga0.7 Pをn形GaP:基板に接着し、2つの半導体の接着面の電流-電圧特性の曲線21が直線性を呈し、低オーミック伝導を達成する。
其他摘要	目的：提供一种化合物半导体晶片的键合方法，该键合方法能够使两个半导体表面之间的键合欧姆界面上的跃迁和点缺陷最小化，并且键合产生具有低电阻的欧姆传导的化合物半导体晶片。组成：In0.Ga0.7 P层使用Te作为n掺杂剂，并在有机金属CVD的基础上生长，在GaP：S板上移动晶格并在其中添加单一轴向压力作为石墨中的化合物半导体 - 制作铁砧夹具，加热使半导体表面上的取向与旋转方向的位置对齐，从而将n-In0.Ga0.7P与n-GaP：板接合，从而获得电流 - 电压特性两个半导体的键合表面上的曲线21可以呈现线性，从而实现低欧姆传导。
主权项	-
申请日期	1995-01-17
专利号	JP1995221023A
专利状态	失效
申请号	JP1995005260
公开（公告）号	JP1995221023A
IPC 分类号	H01S5/042 \| H01S5/02 \| H01L \| H01L21/205 \| H01S5/00 \| H01L21/02 \| H01L33/00 \| H01L21/18
专利代理人	萩野平 (外5名)
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/50941
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	フィリップスルミレッズライティングカンパニーリミテッドライアビリティカンパニー
推荐引用方式 GB/T 7714	フレッド·エイ·キッシュ·ジュニア,デイヴィッド·エイ·ヴァンダーウォーター. 化合物半導体ウェーハの接着方法. JP1995221023A[P]. 1995-08-18.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1995221023A.PDF（62KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文