多ビーム半導体レーザーの製造方法

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	多ビーム半導体レーザーの製造方法
其他题名	多ビーム半導体レーザーの製造方法
	ジョン·アール·アンドリュース; ジョージ·エイ·ネビル·コネル
	1994-12-02
专利权人	ゼロックス·コーポレーション
公开日期	1994-12-02
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【目的】近接して隔置されるが、熱的、電気的及び光学的に相互に分離された複数個の半導体レーザー·チップから多ダイオード·レーザーを製造する方法を提供すること。【構成】それぞれ一対の支持ヒートシンクに固定された第1及び第2半導体レーザー·ダイスがレーザーに含まれる多ビーム半導体レーザーを製造する方法。本方法では、サンドイッチ状素子を形成すべく中間スペーサーの反対側上にて相互に支持ヒートシンクを正確に位置付けるラミネート化方法を利用する。サンドイッチ状素子をベース·プレートに永久的に固定した後、中間スペーサーが溶かされるか若しくは除去されてレーザー·ダイスに対して設置面を露呈させる。本方法は、位置誤差を低減すべく相互に対するヒートシンクの正確な設置を可能にするだけでなく,後続の多段階レーザー·ビーム整合作動の必要性を無くす。
其他摘要	目的：通过一种方法电气和光学地将第一半导体激光器管芯和第二半导体层管芯彼此热分离，其中从层压板上移除中间材料层，以便能够布置彼此面对的表面。第一散热器和第二散热器彼此分开，第一和第二半导体激光器管芯分别固定在散热器的表面上。组成：一个中间材料沉积在第一个散热器上，然后，一个垫片和第一个散热器可以固定到底板24.然后，第二个散热器可以安装在板24上相对于制造接触隔离材料并且可以用低熔点焊料固定到板24上。将放置在其上的槽20和22组装的基板冷却，然后冷却，通过蚀刻对铜垫片进行化学处理，并使散热器处于根据需要定位的状态。在下一阶段中，实现了激光模具在各个散热器彼此相对的表面上的定位和固定，所述散热器沿着激光器模具的每一侧具有辐射条70。
主权项	-
申请日期	1994-04-28
专利号	JP1994334275A
专利状态	失效
申请号	JP1994092433
公开（公告）号	JP1994334275A
IPC 分类号	H01S5/02 \| H01S \| H01S5/40 \| H01S3/23 \| H01S5/022 \| H01S5/00 \| H01S3/18 \| H01S3/25
专利代理人	小堀益
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/50889
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	ゼロックス·コーポレーション
推荐引用方式 GB/T 7714	ジョン·アール·アンドリュース,ジョージ·エイ·ネビル·コネル. 多ビーム半導体レーザーの製造方法. JP1994334275A[P]. 1994-12-02.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1994334275A.PDF（48KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文