Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体光装置 | |
| 其他题名 | 半導体光装置 |
| 佐藤 憲史; 三冨 修 | |
| 1995-08-29 | |
| 专利权人 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 公开日期 | 1995-08-29 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【目的】 高速動作が可能で発振波長の安定性に優れた半導体光源を実現する。 【構成】 半導体光装置は、半導体基板上に形成された共通の活性層部を有し、かつ順次光学的に結合された発光素子、光変調器および半導体光増幅器の三つの領域を有する。 |
| 其他摘要 | 目的：通过提供在半导体衬底上形成的公共有源层和发光元件的三个区域，光学调制器和半导体光学放大器，顺序光学耦合，以获得能够实现高速操作并具有优异的振荡波长稳定性的装置。组成：在半导体衬底5上形成公共有源层1至3，并提供顺序光学耦合的发光元件I，光调制器II和半导体放大器III的三个区域。例如，形成具有由InGaAsP构成的小带隙的公共半导体层（有源层）1至3，并在其上形成P型InP层4。衍射光栅6形成在半导体激光器的半导体层2上，以形成分布反馈型激光器。分离到光阑I至III的电极7至9分别形成在P型InP层4的上表面上，公共电极10形成在基板5的后表面上并且区域I至III耦合光学但电隔离。 |
| 主权项 | - |
| 申请日期 | 1994-02-18 |
| 专利号 | JP1995231132A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1994021219 |
| 公开（公告）号 | JP1995231132A |
| IPC 分类号 | H01S5/06 | H01L27/15 | H01S5/026 | H01S5/042 | H01S5/00 | H01S3/103 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 谷 義一 (外1名) |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/50875 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 佐藤 憲史,三冨 修. 半導体光装置. JP1995231132A[P]. 1995-08-29. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1995231132A.PDF（22KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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