Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザの作製方法 | |
| 其他题名 | 半導体レーザの作製方法 |
| アルフレッド イー チョー; サン-ニー ジョージ チュ; クオチョウ タイ; エオン-ハー ワン | |
| 1994-03-29 | |
| 专利权人 | アメリカン テレフォン アンド テレグラフ カムパニー |
| 公开日期 | 1994-03-29 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【目的】 本発明は、レーザ空胴を少なくとも1つの分布ブラッグ反射器(DBR)に結合することを含む垂直空胴面発光レーザの作製方法に関する。 【構成】 方法はガリウム砒素基板(10)上に組成が交互になった少なくとも10層を有する分布ブラッグ反射器(30、70)を成長させることを含む。基板の成長面は(100)面方向から(111)A面方向へ1°-7°の角だけ傾いている。これにより、結果としてDBRの反射率が改善される。 |
| 其他摘要 | 本发明涉及一种制造垂直腔表面发射激光器的方法，包括将激光腔耦合到至少一个分布式布拉格反射器（DBR）。 该方法包括在砷化镓衬底（10）上生长具有至少10层交替组分的分布式布拉格反射器（30,70）。基板的生长表面从（100）平面方向到（111）A平面方向倾斜1°-7°的角度。结果，改善了DBR的反射率。 |
| 主权项 | - |
| 申请日期 | 1991-12-13 |
| 专利号 | JP1994090057A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1991329195 |
| 公开（公告）号 | JP1994090057A |
| IPC 分类号 | H01S | H01S5/323 | H01S5/183 | H01S5/042 | H01S5/32 | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 岡部 正夫 (外2名) |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/50743 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | アメリカン テレフォン アンド テレグラフ カムパニー |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | アルフレッド イー チョー,サン-ニー ジョージ チュ,クオチョウ タイ,等. 半導体レーザの作製方法. JP1994090057A[P]. 1994-03-29. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1994090057A.PDF（217KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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