相移电控制DFB半导体激光器装置及其制作方法

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	相移电控制DFB半导体激光器装置及其制作方法
其他题名	相移电控制DFB半导体激光器装置及其制作方法
	周亚亭; 王刚; 朱红
	2016-01-06
专利权人	江苏佑风微电子股份有限公司
公开日期	2016-01-06
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	本发明涉及一种相移电控制DFB半导体激光器装置，由两个侧边区和位于两个侧边区之间的一个相移区组成，沿着整个激光器其光栅结构为普通均匀光栅，两个侧边区的电极用导线连接在一起，且两个侧边区的电极与一个相移区的电极相隔离。通过改变侧边区、相移区注入电流以控制引入相移大小，来精细调节激光器的激射波长。在激光器工作电流保持不变的条件下，改变侧边区、相移区注入电流的比例就能改变引入相移的大小。在引入相移大小合适的情况下，既保证了激光器单模激射的实现，也使得结构相似的DFB激光器有相近的域值和激射特性。给激光器阵列产生激光的调制、耦合和传输带来了很大的方便，在光子集成发射芯片模块的研制中有很大的优越性。
其他摘要	本发明涉及一种相移电控制DFB半导体激光器装置，由两个侧边区和位于两个侧边区之间的一个相移区组成，沿着整个激光器其光栅结构为普通均匀光栅，两个侧边区的电极用导线连接在一起，且两个侧边区的电极与一个相移区的电极相隔离。通过改变侧边区、相移区注入电流以控制引入相移大小，来精细调节激光器的激射波长。在激光器工作电流保持不变的条件下，改变侧边区、相移区注入电流的比例就能改变引入相移的大小。在引入相移大小合适的情况下，既保证了激光器单模激射的实现，也使得结构相似的DFB激光器有相近的域值和激射特性。给激光器阵列产生激光的调制、耦合和传输带来了很大的方便，在光子集成发射芯片模块的研制中有很大的优越性。
申请日期	2013-03-13
专利号	CN103151702B
专利状态	授权
申请号	CN201310078726.2
公开（公告）号	CN103151702B
IPC 分类号	H01S5/065 \| H01S5/12 \| H01S5/40
专利代理人	高桂珍
代理机构	南京知识律师事务所
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/50486
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	江苏佑风微电子股份有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	周亚亭,王刚,朱红. 相移电控制DFB半导体激光器装置及其制作方法. CN103151702B[P]. 2016-01-06.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN103151702B.PDF（800KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文