Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
相移电控制DFB半导体激光器装置及其制作方法 | |
其他题名 | 相移电控制DFB半导体激光器装置及其制作方法 |
周亚亭; 王刚; 朱红 | |
2016-01-06 | |
专利权人 | 江苏佑风微电子股份有限公司 |
公开日期 | 2016-01-06 |
授权国家 | 中国 |
专利类型 | 授权发明 |
摘要 | 本发明涉及一种相移电控制DFB半导体激光器装置,由两个侧边区和位于两个侧边区之间的一个相移区组成,沿着整个激光器其光栅结构为普通均匀光栅,两个侧边区的电极用导线连接在一起,且两个侧边区的电极与一个相移区的电极相隔离。通过改变侧边区、相移区注入电流以控制引入相移大小,来精细调节激光器的激射波长。在激光器工作电流保持不变的条件下,改变侧边区、相移区注入电流的比例就能改变引入相移的大小。在引入相移大小合适的情况下,既保证了激光器单模激射的实现,也使得结构相似的DFB激光器有相近的域值和激射特性。给激光器阵列产生激光的调制、耦合和传输带来了很大的方便,在光子集成发射芯片模块的研制中有很大的优越性。 |
其他摘要 | 本发明涉及一种相移电控制DFB半导体激光器装置,由两个侧边区和位于两个侧边区之间的一个相移区组成,沿着整个激光器其光栅结构为普通均匀光栅,两个侧边区的电极用导线连接在一起,且两个侧边区的电极与一个相移区的电极相隔离。通过改变侧边区、相移区注入电流以控制引入相移大小,来精细调节激光器的激射波长。在激光器工作电流保持不变的条件下,改变侧边区、相移区注入电流的比例就能改变引入相移的大小。在引入相移大小合适的情况下,既保证了激光器单模激射的实现,也使得结构相似的DFB激光器有相近的域值和激射特性。给激光器阵列产生激光的调制、耦合和传输带来了很大的方便,在光子集成发射芯片模块的研制中有很大的优越性。 |
申请日期 | 2013-03-13 |
专利号 | CN103151702B |
专利状态 | 授权 |
申请号 | CN201310078726.2 |
公开(公告)号 | CN103151702B |
IPC 分类号 | H01S5/065 | H01S5/12 | H01S5/40 |
专利代理人 | 高桂珍 |
代理机构 | 南京知识律师事务所 |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/50486 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 江苏佑风微电子股份有限公司 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 周亚亭,王刚,朱红. 相移电控制DFB半导体激光器装置及其制作方法. CN103151702B[P]. 2016-01-06. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
CN103151702B.PDF(800KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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