氮化物半导体分层结构以及结合该分层结构部分的氮化物半导体激光器

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	氮化物半导体分层结构以及结合该分层结构部分的氮化物半导体激光器
其他题名	氮化物半导体分层结构以及结合该分层结构部分的氮化物半导体激光器
	竹内哲也; 渡边智; 金子和; 山田范秀; 天野浩; 赤崎勇
	2005-03-16
专利权人	安华高科技通用IP(新加坡)公司
公开日期	2005-03-16
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	一种包括缓冲层和位于缓冲层之上的复合层的氮化物半导体分层结构。该缓冲层是一个包括AlN的低温沉积的氮化物半导体材料层。该复合层是一个包括AlN的单晶氮化物半导体材料层。该复合层包括临近缓冲层的第一亚层和位于该第一亚层之上第二亚层。该复合层的单晶氮化物半导体材料在第一亚层中具有第一AlN摩尔分数以及在第二亚层中具有第二AlN摩尔分数。第二AlN摩尔分数大于第一AlN摩尔分数。氮化物半导体激光器包括上述的氮化物半导体分层结构的一部分，并且还包括位于该复合层之上的光波导层和位于该光波导层之上的有源层。
其他摘要	一种包括缓冲层和位于缓冲层之上的复合层的氮化物半导体分层结构。该缓冲层是一个包括AlN的低温沉积的氮化物半导体材料层。该复合层是一个包括AlN的单晶氮化物半导体材料层。该复合层包括临近缓冲层的第一亚层和位于该第一亚层之上第二亚层。该复合层的单晶氮化物半导体材料在第一亚层中具有第一AlN摩尔分数以及在第二亚层中具有第二AlN摩尔分数。第二AlN摩尔分数大于第一AlN摩尔分数。氮化物半导体激光器包括上述的氮化物半导体分层结构的一部分，并且还包括位于该复合层之上的光波导层和位于该光波导层之上的有源层。
申请日期	2000-07-14
专利号	CN1193470C
专利状态	失效
申请号	CN00810470.0
公开（公告）号	CN1193470C
IPC 分类号	H01L33/06 \| H01L33/12 \| H01L33/32 \| H01L33/34 \| H01S5/00 \| H01S5/20 \| H01S5/32 \| H01S5/323 \| H01S5/343
专利代理人	吴立明 \| 梁永
代理机构	中国专利代理(香港)有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/50459
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	安华高科技通用IP(新加坡)公司
推荐引用方式 GB/T 7714	竹内哲也,渡边智,金子和,等. 氮化物半导体分层结构以及结合该分层结构部分的氮化物半导体激光器. CN1193470C[P]. 2005-03-16.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN1193470C.PDF（1339KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文