Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| Tunnel junction utilizing GaPSb, AlGaPSb | |
| 其他题名 | Tunnel junction utilizing GaPSb, AlGaPSb |
| KIM, JIN K. | |
| 2006-08-01 | |
| 专利权人 | FINISAR CORPORATION |
| 公开日期 | 2006-08-01 |
| 授权国家 | 美国 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | A vertical cavity surface emitting laser (VCSEL) includes a substrate; a first mirror stack over the substrate; an active region having a plurality of quantum wells over the first mirror stack; a tunnel junction over the active region, a p-layer of the tunnel junction including GaPSb or AlGaPSb; and a second mirror stack over the tunnel junction. The p-layer including GaPSb or AlGaPSb can be used to form a tunnel junction with an n-doped layer of InP or AlInAs, or with a lower bandgap material such as InGaAs, AlInGaAs or InGaAsP. Such tunnel junctions are especially useful for a long wavelength VCSEL. |
| 其他摘要 | 垂直腔表面发射激光器（VCSEL）包括衬底;衬底上的第一镜堆;在第一镜堆上具有多个量子阱的有源区;有源区上方的隧道结，包括GaPSb或AlGaPSb的隧道结的p层;和隧道结上的第二个镜像堆栈。包括GaPSb或AlGaPSb的p层可用于与InP或AlInAs的n掺杂层形成隧道结，或者与诸如InGaAs，AlInGaAs或InGaAsP的较低带隙材料形成隧道结。这种隧道结特别适用于长波长VCSEL。 |
| 申请日期 | 2003-10-31 |
| 专利号 | US7085298 |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | US10/697028 |
| 公开（公告）号 | US7085298 |
| IPC 分类号 | H01S3/04 | H01S5/00 | H01S5/183 | H01S5/30 | H01S5/343 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | WORKMAN NYDEGGER |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/50433 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FINISAR CORPORATION |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | KIM, JIN K.. Tunnel junction utilizing GaPSb, AlGaPSb. US7085298[P]. 2006-08-01. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| US7085298.PDF（93KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
| 个性服务 |
| 推荐该条目 |
| 保存到收藏夹 |
| 查看访问统计 |
| 导出为Endnote文件 |
| 谷歌学术 |
| 谷歌学术中相似的文章 |
| [KIM, JIN K.]的文章 |
| 百度学术 |
| 百度学术中相似的文章 |
| [KIM, JIN K.]的文章 |
| 必应学术 |
| 必应学术中相似的文章 |
| [KIM, JIN K.]的文章 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论