一种改善面发射半导体激光器慢轴远场的金属天线结构

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	一种改善面发射半导体激光器慢轴远场的金属天线结构
其他题名	一种改善面发射半导体激光器慢轴远场的金属天线结构
	姚丹阳; 张锦川; 周予虹; 贾志伟; 闫方亮; 王利军; 刘俊岐; 刘峰奇; 王占国
	2016-08-17
专利权人	中国科学院半导体研究所
公开日期	2016-08-17
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	本发明公开了一种改善面发射半导体激光器慢轴远场的金属天线结构，其包括：衬底，其上制作有双沟道脊型波导结构，脊型区中设有激光器有源区；光栅层，制作在衬底上表面；电隔离层，制作在光栅层上表面，在光栅层与脊型区对应的上表面处断开形成电注入窗口；双沟填充物，填充在双沟道中；下欧姆接触层，制作在衬底的下表面；亚波长金属等离子体天线，制作在所述电隔离层和双沟填充物的上表面，在脊型区对应的上表面处断开，在形成电注入欧姆接触区域的同时形成光输出窗口。本发明有效的降低面发射激光器慢轴方向的远场发散角，实现小发散角准圆斑甚至圆斑面发射器件的制作。
其他摘要	本发明公开了一种改善面发射半导体激光器慢轴远场的金属天线结构，其包括：衬底，其上制作有双沟道脊型波导结构，脊型区中设有激光器有源区；光栅层，制作在衬底上表面；电隔离层，制作在光栅层上表面，在光栅层与脊型区对应的上表面处断开形成电注入窗口；双沟填充物，填充在双沟道中；下欧姆接触层，制作在衬底的下表面；亚波长金属等离子体天线，制作在所述电隔离层和双沟填充物的上表面，在脊型区对应的上表面处断开，在形成电注入欧姆接触区域的同时形成光输出窗口。本发明有效的降低面发射激光器慢轴方向的远场发散角，实现小发散角准圆斑甚至圆斑面发射器件的制作。
申请日期	2014-09-30
专利号	CN104267503B
专利状态	授权
申请号	CN201410520059.3
公开（公告）号	CN104267503B
IPC 分类号	G02B27/09
专利代理人	宋焰琴
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/50350
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院半导体研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	姚丹阳,张锦川,周予虹,等. 一种改善面发射半导体激光器慢轴远场的金属天线结构. CN104267503B[P]. 2016-08-17.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN104267503B.PDF（131KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文