Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半导体层叠板和垂直腔面发射激光器 | |
| 其他题名 | 半导体层叠板和垂直腔面发射激光器 |
| 原敬 | |
| 2015-09-02 | |
| 专利权人 | 株式会社理光 |
| 公开日期 | 2015-09-02 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 一种半导体层叠板包括半导体分布布拉格反射镜(DBR)形成于基底上的半导体分布布拉格反射镜(DBR)、通过交替层叠宽能带半导体层和有源层形成于半导体DBR上的谐振器层。每一个有源层都包含一个多量子阱(MQW)层和形成于为在多量子阱层的每一个表面上各有一个的两个分隔层。多量子阱层通过交替层叠阻挡层和量子阱层形成。形成n层宽能带半导体层，且从基底数第m层宽能带半导体层的能隙Egm，和从基底数第m-1层宽能带半导体层的能隙Egm-1，满足Egm-1＜Egm，其中n和m均为大于等于2的整数，且1＜m≤n。 |
| 其他摘要 | 一种半导体层叠板包括半导体分布布拉格反射镜(DBR)形成于基底上的半导体分布布拉格反射镜(DBR)、通过交替层叠宽能带半导体层和有源层形成于半导体DBR上的谐振器层。每一个有源层都包含一个多量子阱(MQW)层和形成于为在多量子阱层的每一个表面上各有一个的两个分隔层。多量子阱层通过交替层叠阻挡层和量子阱层形成。形成n层宽能带半导体层，且从基底数第m层宽能带半导体层的能隙Egm，和从基底数第m-1层宽能带半导体层的能隙Egm-1，满足Egm-1＜Egm，其中n和m均为大于等于2的整数，且1＜m≤n。 |
| 申请日期 | 2013-03-13 |
| 专利号 | CN103311805B |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | CN201310187942.0 |
| 公开（公告）号 | CN103311805B |
| IPC 分类号 | H01S5/183 | H01S5/343 |
| 专利代理人 | 张祥 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/50267 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社理光 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 原敬. 半导体层叠板和垂直腔面发射激光器. CN103311805B[P]. 2015-09-02. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN103311805B.PDF（1293KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
| 个性服务 |
| 推荐该条目 |
| 保存到收藏夹 |
| 查看访问统计 |
| 导出为Endnote文件 |
| 谷歌学术 |
| 谷歌学术中相似的文章 |
| [原敬]的文章 |
| 百度学术 |
| 百度学术中相似的文章 |
| [原敬]的文章 |
| 必应学术 |
| 必应学术中相似的文章 |
| [原敬]的文章 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论