激光激发稀土掺杂氮氧化铝荧光粉合成白光光源的方法

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	激光激发稀土掺杂氮氧化铝荧光粉合成白光光源的方法
其他题名	激光激发稀土掺杂氮氧化铝荧光粉合成白光光源的方法
	张芳; 王士维; 袁贤阳; 李军; 周国红; 张昭
	2013-12-11
专利权人	中国科学院上海硅酸盐研究所
公开日期	2013-12-11
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	本发明涉及一种激光激发稀土掺杂氮氧化铝荧光粉合成白光光源的方法，其特征在于以氮氧化铝为基质，掺杂稀土元素制成不同掺杂的荧光粉，最后将合成的两种以上荧光粉混合、干燥后制成在950nm的半导体激光器激发下发射出白光；所述的掺杂稀土元素Er、Tm、Ho、Tb、Pr、Eu、Dy或Sm的氧化物质量百分浓度为1-10％，掺杂稀土元素Yb的氧化物的质量百分浓度为0.5-5％。具体包括a)氮氧化铝基质的制备；b)荧光粉粉体的制备；c)白光光源的合成。本发明提供的荧光粉具有较强的发光强度，较传统的氟化物稳定，经掺杂后的AlON，在980nm波长激光激发下发射出白光。
其他摘要	本发明涉及一种激光激发稀土掺杂氮氧化铝荧光粉合成白光光源的方法，其特征在于以氮氧化铝为基质，掺杂稀土元素制成不同掺杂的荧光粉，最后将合成的两种以上荧光粉混合、干燥后制成在950nm的半导体激光器激发下发射出白光；所述的掺杂稀土元素Er、Tm、Ho、Tb、Pr、Eu、Dy或Sm的氧化物质量百分浓度为1-10％，掺杂稀土元素Yb的氧化物的质量百分浓度为0.5-5％。具体包括a)氮氧化铝基质的制备；b)荧光粉粉体的制备；c)白光光源的合成。本发明提供的荧光粉具有较强的发光强度，较传统的氟化物稳定，经掺杂后的AlON，在980nm波长激光激发下发射出白光。
申请日期	2009-12-31
专利号	CN102115666B
专利状态	授权
申请号	CN200910247864.2
公开（公告）号	CN102115666B
IPC 分类号	C09K11/64
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/50139
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院上海硅酸盐研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	张芳,王士维,袁贤阳,等. 激光激发稀土掺杂氮氧化铝荧光粉合成白光光源的方法. CN102115666B[P]. 2013-12-11.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN102115666B.PDF（794KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文