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大功率半导体激光阵列的光纤相干耦合方法及光纤整形器
其他题名大功率半导体激光阵列的光纤相干耦合方法及光纤整形器
王智勇; 左铁钏; 马春雨; 初新俊
2008-04-16
专利权人嘉兴大合激光设备有限公司
公开日期2008-04-16
授权国家中国
专利类型授权发明
摘要本发明为大功率半导体激光阵列的光纤相干耦合方法及光纤整形器,属于激光技术领域。特征在于:将光纤引入到半导体激光阵列和外腔镜之间,通过微透镜压缩每个发光单元的快轴发散角,使N个发光单元一对一耦合进N根光纤中,利用光纤的柔韧性,在光纤另一端把光纤重排为具有二维周期的光纤阵列。所设计的光纤整形器放置在半导体激光阵列(1)和外腔镜(6)之间,包括有对准固定套(3)、光纤(4)和重排固定套(5);经微透镜(2)压缩的光束一对一耦合进对准固定套固定的光纤中,重排固定套将二维排列的光纤另一端重新排列并固定。本发明实现了发光光束重排,提高了大功率半导体激光阵列相干耦合度。
其他摘要本发明为大功率半导体激光阵列的光纤相干耦合方法及光纤整形器,属于激光技术领域。特征在于:将光纤引入到半导体激光阵列和外腔镜之间,通过微透镜压缩每个发光单元的快轴发散角,使N个发光单元一对一耦合进N根光纤中,利用光纤的柔韧性,在光纤另一端把光纤重排为具有二维周期的光纤阵列。所设计的光纤整形器放置在半导体激光阵列(1)和外腔镜(6)之间,包括有对准固定套(3)、光纤(4)和重排固定套(5);经微透镜(2)压缩的光束一对一耦合进对准固定套固定的光纤中,重排固定套将二维排列的光纤另一端重新排列并固定。本发明实现了发光光束重排,提高了大功率半导体激光阵列相干耦合度。
申请日期2005-07-27
专利号CN100382400C
专利状态失效
申请号CN200510087116.4
公开(公告)号CN100382400C
IPC 分类号H01S5/40 | H01S5/00 | G02B6/42
专利代理人张慧
代理机构北京思海天达知识产权代理有限公司
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/50109
专题半导体激光器专利数据库
作者单位嘉兴大合激光设备有限公司
推荐引用方式
GB/T 7714
王智勇,左铁钏,马春雨,等. 大功率半导体激光阵列的光纤相干耦合方法及光纤整形器. CN100382400C[P]. 2008-04-16.
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CN100382400C.PDF(279KB)专利 开放获取CC BY-NC-SA请求全文
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