Structure and method for the fabrication of a gallium nitride vertical cavity surface emitting laser

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	Structure and method for the fabrication of a gallium nitride vertical cavity surface emitting laser
其他题名	Structure and method for the fabrication of a gallium nitride vertical cavity surface emitting laser
	HOLDER, CASEY O.; FEEZELL, DANIEL F.; DENBAARS, STEVEN P.; SPECK, JAMES S.; NAKAMURA, SHUJI
	2017-05-02
专利权人	THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA
公开日期	2017-05-02
授权国家	美国
专利类型	授权发明
摘要	A III-Nitride based Vertical Cavity Surface Emitting Laser (VCSEL), wherein a cavity length of the VCSEL is controlled by etching.
其他摘要	基于III族氮化物的垂直腔面发射激光器（VCSEL），其中通过蚀刻控制VCSEL的腔长度。
申请日期	2015-08-06
专利号	US9640947
专利状态	授权
申请号	US14/820258
公开（公告）号	US9640947
IPC 分类号	H01S5/183 \| H01S5/10 \| H01S5/343 \| B82Y20/00 \| H01S5/065 \| H01S5/00 \| H01S5/02 \| H01S5/042 \| H01S5/42 \| H01S5/32 \| H01S5/20
专利代理人	-
代理机构	GATES & COOPER LLP
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49727
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA
推荐引用方式 GB/T 7714	HOLDER, CASEY O.,FEEZELL, DANIEL F.,DENBAARS, STEVEN P.,et al. Structure and method for the fabrication of a gallium nitride vertical cavity surface emitting laser. US9640947[P]. 2017-05-02.