GaAs基含B高应变量子阱及其制备方法、半导体激光器

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	GaAs基含B高应变量子阱及其制备方法、半导体激光器
其他题名	GaAs基含B高应变量子阱及其制备方法、半导体激光器
	王琦; 贾志刚; 郭欣; 任晓敏; 黄永清
	2014-12-31
专利权人	北京邮电大学
公开日期	2014-12-31
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	本发明涉及半导体光电子材料与器件领域，公开了一种GaAs基含B高应变量子阱的制备方法，包括步骤：S1、在GaAs衬底上生长GaAs缓冲层；S2、在所述GaAs缓冲层的顶部生长高应变阱层，生长过程中通入B源形成含B高应变阱层；S3、在所述含B高应变阱层上生长GaAs垒层或应变补偿垒层，形成GaAs基含B高应变量子阱。本发明还公开了一种GaAs基含B高应变量子阱以及一种边发射半导体激光器。本发明通过将B并入到InGaAs或GaAsSb中补偿In、Sb并入GaAs导致的晶格常数变大，从而实现对晶格失配度的调控；通过将B并入到InGaAs或GaAsSb中降低高应变InGaAs或GaAsSb的表面能，从而进一步拓展InGaAs/GaAs和GaAsSb/GaAs高应变量子阱的发光波长；通过对含B高应变阱层进行应变补偿，从而提高量子阱的光学质量。
其他摘要	本发明涉及半导体光电子材料与器件领域，公开了一种GaAs基含B高应变量子阱的制备方法，包括步骤：S1、在GaAs衬底上生长GaAs缓冲层；S2、在所述GaAs缓冲层的顶部生长高应变阱层，生长过程中通入B源形成含B高应变阱层；S3、在所述含B高应变阱层上生长GaAs垒层或应变补偿垒层，形成GaAs基含B高应变量子阱。本发明还公开了一种GaAs基含B高应变量子阱以及一种边发射半导体激光器。本发明通过将B并入到InGaAs或GaAsSb中补偿In、Sb并入GaAs导致的晶格常数变大，从而实现对晶格失配度的调控；通过将B并入到InGaAs或GaAsSb中降低高应变InGaAs或GaAsSb的表面能，从而进一步拓展InGaAs/GaAs和GaAsSb/GaAs高应变量子阱的发光波长；通过对含B高应变阱层进行应变补偿，从而提高量子阱的光学质量。
申请日期	2011-12-06
专利号	CN103151710B
专利状态	授权
申请号	CN201110401750
公开（公告）号	CN103151710B
IPC 分类号	H01S5/343
专利代理人	王莹
代理机构	北京路浩知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49570
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	北京邮电大学
推荐引用方式 GB/T 7714	王琦,贾志刚,郭欣,等. GaAs基含B高应变量子阱及其制备方法、半导体激光器. CN103151710B[P]. 2014-12-31.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN103151710B.PDF（501KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文