一种分布反馈激光器及其制作方法、分布反馈激光器阵列

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	一种分布反馈激光器及其制作方法、分布反馈激光器阵列
其他题名	一种分布反馈激光器及其制作方法、分布反馈激光器阵列
	陈泳屹; 胡永生; 秦莉; 宁永强; 林杰; 刘星元; 王立军
	2019-09-27
专利权人	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
公开日期	2019-09-27
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	本申请提供一种分布反馈激光器及其制作方法、分布反馈激光器阵列，分布反馈激光器为增益耦合分布反馈激光器，其至少包括：衬底、周期性半导体器件、有源层、光波导槽；由于增益耦合分布反馈激光器可以直接在布拉格波长处实现单纵模激射，对端面要求不严格，温度稳定性高，节省了能量。另外，分布反馈激光器中激射波长满足公式：NeffΛ＝Nλ/2，其中，N为激射的波长阶数，N为大于2的正整数，也即本发明提供的为高阶分布反馈激光器，阶数越高，光栅周期越长，加工尺寸越大，从而提高了其制作容差，进而可以避免使用二次外延工艺，仅采用常规的光刻、刻蚀等工艺即可，降低了制作成本，容易实现大批量生产和商业化。
其他摘要	本申请提供一种分布反馈激光器及其制作方法、分布反馈激光器阵列，分布反馈激光器为增益耦合分布反馈激光器，其至少包括：衬底、周期性半导体器件、有源层、光波导槽；由于增益耦合分布反馈激光器可以直接在布拉格波长处实现单纵模激射，对端面要求不严格，温度稳定性高，节省了能量。另外，分布反馈激光器中激射波长满足公式：N_effΛ＝Nλ/2，其中，N为激射的波长阶数，N为大于2的正整数，也即本发明提供的为高阶分布反馈激光器，阶数越高，光栅周期越长，加工尺寸越大，从而提高了其制作容差，进而可以避免使用二次外延工艺，仅采用常规的光刻、刻蚀等工艺即可，降低了制作成本，容易实现大批量生产和商业化。
申请日期	2017-01-10
专利号	CN106785829B
专利状态	授权
申请号	CN201710018822.6
公开（公告）号	CN106785829B
IPC 分类号	H01S3/063 \| H01S3/08 \| H01S5/12
专利代理人	王宝筠
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49500
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	陈泳屹,胡永生,秦莉,等. 一种分布反馈激光器及其制作方法、分布反馈激光器阵列. CN106785829B[P]. 2019-09-27.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN106785829B.PDF（995KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文