基于有机半导体的一维光子晶体边发射激光器及实现方法

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	基于有机半导体的一维光子晶体边发射激光器及实现方法
其他题名	基于有机半导体的一维光子晶体边发射激光器及实现方法
	陈笑; 李长伟; 王义全; 蔡园园; 王晓青
	2019-09-10
专利权人	中央民族大学
公开日期	2019-09-10
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	本发明公开了一种基于有机半导体的一维光子晶体边发射激光器及实现方法。本发明的激光器采用在基底上形成脊形的增益介质作为脊形波导，在增益介质上分别形成三个由一维光子晶体构成的光子晶体光栅，两侧的光子晶体光栅分别为全反结构和部分透射结构形成谐振腔，二者之间的光子晶体光栅为选模结构，只允许目标波长附近的光传输；本发明大程度降低激光器的制作成本及条件要求；解决了无机晶体材料的解理面很难作为边发射激光器出射窗口的问题，更易制备出良好的激光出射窗口；更易于集成平板全光集成器件；降低阈值，很好的抑制模式竞争，有效抑制界面模；实现了低成本、易加工、长增益、低阈值、易集成的边发射有机激光器。
其他摘要	本发明公开了一种基于有机半导体的一维光子晶体边发射激光器及实现方法。本发明的激光器采用在基底上形成脊形的增益介质作为脊形波导，在增益介质上分别形成三个由一维光子晶体构成的光子晶体光栅，两侧的光子晶体光栅分别为全反结构和部分透射结构形成谐振腔，二者之间的光子晶体光栅为选模结构，只允许目标波长附近的光传输；本发明大程度降低激光器的制作成本及条件要求；解决了无机晶体材料的解理面很难作为边发射激光器出射窗口的问题，更易制备出良好的激光出射窗口；更易于集成平板全光集成器件；降低阈值，很好的抑制模式竞争，有效抑制界面模；实现了低成本、易加工、长增益、低阈值、易集成的边发射有机激光器。
申请日期	2018-02-23
专利号	CN108199260B
专利状态	授权
申请号	CN201810154994.0
公开（公告）号	CN108199260B
IPC 分类号	H01S5/22 \| H01S5/10 \| H01S5/04 \| H01S5/36
专利代理人	王岩
代理机构	北京万象新悦知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49477
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中央民族大学
推荐引用方式 GB/T 7714	陈笑,李长伟,王义全,等. 基于有机半导体的一维光子晶体边发射激光器及实现方法. CN108199260B[P]. 2019-09-10.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN108199260B.PDF（667KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文