一种外延结构及其光栅结构制备方法

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	一种外延结构及其光栅结构制备方法
其他题名	一种外延结构及其光栅结构制备方法
	仇伯仓; 胡海
	2019-08-13
专利权人	深圳瑞波光电子有限公司
公开日期	2019-08-13
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	本发明公开了一种外延结构及其光栅结构的制造方法。该外延结构包括衬底以及沿第一方向叠层设置于衬底上的波导层，其中在垂直于第一方向的第二方向上，波导层划分为量子阱混杂增强区以及量子阱混杂抑制区，其中量子阱混杂增强区和量子阱混杂抑制区在第二方向上的一定区域交替排列，以利用量子阱混杂增强区和量子阱混杂抑制区的折射率在第二方向上周期性变化形成光栅结构。通过上述方式，交替排列的量子阱混杂增强区和量子阱混杂抑制区形成光栅结构，避免采用复杂的二次外延制造工艺，降低制造成本；避免二次外延制造工艺对器件的可靠性及性能的影响；并实现对光栅周期的方便有效的调控。
其他摘要	本发明公开了一种外延结构及其光栅结构的制造方法。该外延结构包括衬底以及沿第一方向叠层设置于衬底上的波导层，其中在垂直于第一方向的第二方向上，波导层划分为量子阱混杂增强区以及量子阱混杂抑制区，其中量子阱混杂增强区和量子阱混杂抑制区在第二方向上的一定区域交替排列，以利用量子阱混杂增强区和量子阱混杂抑制区的折射率在第二方向上周期性变化形成光栅结构。通过上述方式，交替排列的量子阱混杂增强区和量子阱混杂抑制区形成光栅结构，避免采用复杂的二次外延制造工艺，降低制造成本；避免二次外延制造工艺对器件的可靠性及性能的影响；并实现对光栅周期的方便有效的调控。
申请日期	2015-11-26
专利号	CN105429003B
专利状态	授权
申请号	CN201510848139.6
公开（公告）号	CN105429003B
IPC 分类号	H01S5/343
专利代理人	李庆波
代理机构	深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙)
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49446
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	深圳瑞波光电子有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	仇伯仓,胡海. 一种外延结构及其光栅结构制备方法. CN105429003B[P]. 2019-08-13.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN105429003B.PDF（493KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文