一种半绝缘表面等离子体波导太赫兹量子级联激光器的制作方法

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	一种半绝缘表面等离子体波导太赫兹量子级联激光器的制作方法
其他题名	一种半绝缘表面等离子体波导太赫兹量子级联激光器的制作方法
	万文坚; 曹俊诚
	2019-05-14
专利权人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所
公开日期	2019-05-14
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	本发明提供一种半绝缘表面等离子体波导太赫兹量子级联激光器的制作方法，至少包括：分子束外延在半绝缘GaAs衬底上依次生长下接触层、多量子阱有源区、上接触层；光刻、金属化和剥离在外延材料上制作上电极金属层；光刻胶覆盖上电极金属层刻蚀有源区形成脊形结构；光刻胶覆盖整个脊形结构刻蚀未覆盖的区域至下接触层；光刻、金属化和剥离在脊波导两侧制作下电极金属层；最后减薄衬底、解理芯片并封装完成。本发明中脊波导的刻蚀分两步进行，两步刻蚀形成两级向下的台阶，下电极金属层覆盖于第二刻蚀台阶及第二刻蚀侧壁实现和下接触层间良好的电学接触。该工艺通过增加一步光刻流程，降低了脊波导制作对刻蚀厚度精度及均匀性的要求，提高了器件工艺的成品率，降低了接触层引入的横向串联电阻。
其他摘要	本发明提供一种半绝缘表面等离子体波导太赫兹量子级联激光器的制作方法，至少包括：分子束外延在半绝缘GaAs衬底上依次生长下接触层、多量子阱有源区、上接触层；光刻、金属化和剥离在外延材料上制作上电极金属层；光刻胶覆盖上电极金属层刻蚀有源区形成脊形结构；光刻胶覆盖整个脊形结构刻蚀未覆盖的区域至下接触层；光刻、金属化和剥离在脊波导两侧制作下电极金属层；最后减薄衬底、解理芯片并封装完成。本发明中脊波导的刻蚀分两步进行，两步刻蚀形成两级向下的台阶，下电极金属层覆盖于第二刻蚀台阶及第二刻蚀侧壁实现和下接触层间良好的电学接触。该工艺通过增加一步光刻流程，降低了脊波导制作对刻蚀厚度精度及均匀性的要求，提高了器件工艺的成品率，降低了接触层引入的横向串联电阻。
申请日期	2014-09-10
专利号	CN105449521B
专利状态	授权
申请号	CN201410458948.1
公开（公告）号	CN105449521B
IPC 分类号	H01S5/343 \| H01S5/22
专利代理人	李仪萍
代理机构	上海光华专利事务所(普通合伙)
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49387
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院上海微系统与信息技术研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	万文坚,曹俊诚. 一种半绝缘表面等离子体波导太赫兹量子级联激光器的制作方法. CN105449521B[P]. 2019-05-14.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN105449521B.PDF（608KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文