Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 高耦合效率电注入集成硅基激光器 | |
| 其他题名 | 高耦合效率电注入集成硅基激光器 |
刘磊 ; 肖希; 王磊; 邱英; 李淼峰; 陈代高; 杨奇; 余少华
| |
| 2019-02-05 | |
| 专利权人 | 武汉邮电科学研究院 |
| 公开日期 | 2019-02-05 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 本发明公开了高耦合效率电注入集成硅基激光器，为叠层结构，包括：硅衬底、绝缘层、大模斑半导体有源芯片、顶层硅和低折射率层，硅衬底的上表面设有常规部和经过刻蚀的刻蚀部，绝缘层设置在硅衬底的常规部上；大模斑半导体有源芯片设置在硅衬底的刻蚀部上；顶层硅设置在绝缘层的上表面；低折射率层设置在顶层硅上表面的靠近所述大模斑半导体有源芯片的一侧。本发明，具有直接高效输出单模激光的优点，且结构紧凑，工艺简单，效率高，稳定性高，可商用化，在光互联、光通信、光谱测定以及光遥感等领域中具有广阔的应用前景。 |
| 其他摘要 | 本发明公开了高耦合效率电注入集成硅基激光器，为叠层结构，包括：硅衬底、绝缘层、大模斑半导体有源芯片、顶层硅和低折射率层，硅衬底的上表面设有常规部和经过刻蚀的刻蚀部，绝缘层设置在硅衬底的常规部上；大模斑半导体有源芯片设置在硅衬底的刻蚀部上；顶层硅设置在绝缘层的上表面；低折射率层设置在顶层硅上表面的靠近所述大模斑半导体有源芯片的一侧。本发明，具有直接高效输出单模激光的优点，且结构紧凑，工艺简单，效率高，稳定性高，可商用化，在光互联、光通信、光谱测定以及光遥感等领域中具有广阔的应用前景。 |
| 申请日期 | 2015-12-04 |
| 专利号 | CN105305229B |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | CN201510891312.0 |
| 公开（公告）号 | CN105305229B |
| IPC 分类号 | H01S5/22 | H01S5/34 |
| 专利代理人 | 王卫东 |
| 代理机构 | 北京捷诚信通专利事务所(普通合伙) |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49351 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 武汉邮电科学研究院 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘磊,肖希,王磊,等. 高耦合效率电注入集成硅基激光器. CN105305229B[P]. 2019-02-05. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN105305229B.PDF（663KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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