Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 基于全量子阱选择区域外延的半导体锁模激光器制作方法 | |
| 其他题名 | 基于全量子阱选择区域外延的半导体锁模激光器制作方法 |
| 许俊杰; 梁松; 朱洪亮 | |
| 2019-01-18 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2019-01-18 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 本发明公开了一种基于全量子阱选择区域外延的半导体锁模激光器制作方法。所述方法包括：选区外延掩模设计；2.选取外延掩模图形制作；3.选区外延；4.激光器腔体结构制作；5.电隔离制作；6.电极制作；7.解理得到管芯激光器。本发明通过一次选区外延同时定义锁模激光器的增益区、饱和吸收区和有源无源腔比例，通过碰撞锁模的原理压缩脉冲宽度、提高锁模频率，通过无源外腔的技术降低脉冲重频的时域抖动，最终实现窄脉冲的稳定重频(按应用需求可高可低)输出。 |
| 其他摘要 | 本发明公开了一种基于全量子阱选择区域外延的半导体锁模激光器制作方法。所述方法包括：选区外延掩模设计；2.选取外延掩模图形制作；3.选区外延；4.激光器腔体结构制作；5.电隔离制作；6.电极制作；7.解理得到管芯激光器。本发明通过一次选区外延同时定义锁模激光器的增益区、饱和吸收区和有源无源腔比例，通过碰撞锁模的原理压缩脉冲宽度、提高锁模频率，通过无源外腔的技术降低脉冲重频的时域抖动，最终实现窄脉冲的稳定重频(按应用需求可高可低)输出。 |
| 申请日期 | 2016-06-20 |
| 专利号 | CN106058639B |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | CN201610443677.1 |
| 公开（公告）号 | CN106058639B |
| IPC 分类号 | H01S5/065 | H01S5/343 |
| 专利代理人 | 钟文芳 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49349 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 许俊杰,梁松,朱洪亮. 基于全量子阱选择区域外延的半导体锁模激光器制作方法. CN106058639B[P]. 2019-01-18. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN106058639B.PDF（1066KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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