应力调控波导层绿光激光器外延片及其制备方法

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	应力调控波导层绿光激光器外延片及其制备方法
其他题名	应力调控波导层绿光激光器外延片及其制备方法
	杨静; 赵德刚; 陈平; 朱建军; 刘宗顺
	2018-10-26
专利权人	中国科学院半导体研究所
公开日期	2018-10-26
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	一种应力调控波导层绿光激光器外延片，包括：一衬底；一高温n型GaN层制作在衬底上；一高温n型AlGaN限制层制作在高温n型GaN层上；一应力调控下波导层制作在高温n型AlGaN限制层上；一InGaN/GaN多量子阱发光层制作在应力调控下波导层上；一p型AlGaN电子阻挡层制作在InGaN/GaN多量子阱发光层上；一非掺杂上波导层制作在p型AlGaN电子阻挡层上；一p型限制层制作在非掺杂上波导层上；一p型GaN层制作在p型限制层上。本发明是通过引入多层In组分渐增的InGaN应力调控波导层，在增加GaN基绿光激光器光场限制因子的同时降低绿光量子阱的应力。另外，采用氮氢混合载气生长并处理InGaN波导层表面，改善波导层的表面质量，提高绿光激光器的性能。
其他摘要	一种应力调控波导层绿光激光器外延片，包括：一衬底；一高温n型GaN层制作在衬底上；一高温n型AlGaN限制层制作在高温n型GaN层上；一应力调控下波导层制作在高温n型AlGaN限制层上；一InGaN/GaN多量子阱发光层制作在应力调控下波导层上；一p型AlGaN电子阻挡层制作在InGaN/GaN多量子阱发光层上；一非掺杂上波导层制作在p型AlGaN电子阻挡层上；一p型限制层制作在非掺杂上波导层上；一p型GaN层制作在p型限制层上。本发明是通过引入多层In组分渐增的InGaN应力调控波导层，在增加GaN基绿光激光器光场限制因子的同时降低绿光量子阱的应力。另外，采用氮氢混合载气生长并处理InGaN波导层表面，改善波导层的表面质量，提高绿光激光器的性能。
申请日期	2016-03-28
专利号	CN105811243B
专利状态	授权
申请号	CN201610183087.X
公开（公告）号	CN105811243B
IPC 分类号	H01S5/323
专利代理人	汤保平
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49327
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院半导体研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	杨静,赵德刚,陈平,等. 应力调控波导层绿光激光器外延片及其制备方法. CN105811243B[P]. 2018-10-26.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN105811243B.PDF（475KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文