Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
太赫兹量子级联激光器器件结构及其制作方法 | |
其他题名 | 太赫兹量子级联激光器器件结构及其制作方法 |
姚辰; 曹俊诚 | |
2018-10-26 | |
专利权人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
公开日期 | 2018-10-26 |
授权国家 | 中国 |
专利类型 | 授权发明 |
摘要 | 本发明提出了一种太赫兹量子级联激光器器件结构及其制作方法,至少包括:脊波导结构;脊波导结构包括半绝缘GaAs衬底、GaAs缓冲层、下接触层、有源区、上接触层、导热绝缘层、上金属层及下金属层。通过在器件侧面淀积导热绝缘层并覆盖金属,提供了器件横向的散热通道,较以往侧壁未覆盖金属的THz QCL散热能力更强。采用倒装封装方法,支撑基片采用硅等热导率高的材料,比正常封装器件的半绝缘GaAs衬底散热能力提高,同时具有更大的电极面积,也利于器件散热。新结构提高了THz QCL的温度特性、能量效率,有利于器件在连续或高占空比的脉冲状态下工作;器件制作方法可由标准半导体工艺制作,适于工业量产。 |
其他摘要 | 本发明提出了一种太赫兹量子级联激光器器件结构及其制作方法,至少包括:脊波导结构;脊波导结构包括半绝缘GaAs衬底、GaAs缓冲层、下接触层、有源区、上接触层、导热绝缘层、上金属层及下金属层。通过在器件侧面淀积导热绝缘层并覆盖金属,提供了器件横向的散热通道,较以往侧壁未覆盖金属的THz QCL散热能力更强。采用倒装封装方法,支撑基片采用硅等热导率高的材料,比正常封装器件的半绝缘GaAs衬底散热能力提高,同时具有更大的电极面积,也利于器件散热。新结构提高了THz QCL的温度特性、能量效率,有利于器件在连续或高占空比的脉冲状态下工作;器件制作方法可由标准半导体工艺制作,适于工业量产。 |
申请日期 | 2015-01-27 |
专利号 | CN104538844B |
专利状态 | 授权 |
申请号 | CN201510041299.X |
公开(公告)号 | CN104538844B |
IPC 分类号 | H01S5/343 | H01S5/024 |
专利代理人 | 余明伟 |
代理机构 | 上海光华专利事务所(普通合伙) |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49325 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 姚辰,曹俊诚. 太赫兹量子级联激光器器件结构及其制作方法. CN104538844B[P]. 2018-10-26. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
CN104538844B.PDF(1152KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
个性服务 |
推荐该条目 |
保存到收藏夹 |
查看访问统计 |
导出为Endnote文件 |
谷歌学术 |
谷歌学术中相似的文章 |
[姚辰]的文章 |
[曹俊诚]的文章 |
百度学术 |
百度学术中相似的文章 |
[姚辰]的文章 |
[曹俊诚]的文章 |
必应学术 |
必应学术中相似的文章 |
[姚辰]的文章 |
[曹俊诚]的文章 |
相关权益政策 |
暂无数据 |
收藏/分享 |
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。
修改评论