太赫兹量子级联激光器器件结构及其制作方法

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	太赫兹量子级联激光器器件结构及其制作方法
其他题名	太赫兹量子级联激光器器件结构及其制作方法
	姚辰; 曹俊诚
	2018-10-26
专利权人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所
公开日期	2018-10-26
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	本发明提出了一种太赫兹量子级联激光器器件结构及其制作方法，至少包括：脊波导结构；脊波导结构包括半绝缘GaAs衬底、GaAs缓冲层、下接触层、有源区、上接触层、导热绝缘层、上金属层及下金属层。通过在器件侧面淀积导热绝缘层并覆盖金属，提供了器件横向的散热通道，较以往侧壁未覆盖金属的THz QCL散热能力更强。采用倒装封装方法，支撑基片采用硅等热导率高的材料，比正常封装器件的半绝缘GaAs衬底散热能力提高，同时具有更大的电极面积，也利于器件散热。新结构提高了THz QCL的温度特性、能量效率，有利于器件在连续或高占空比的脉冲状态下工作；器件制作方法可由标准半导体工艺制作，适于工业量产。
其他摘要	本发明提出了一种太赫兹量子级联激光器器件结构及其制作方法，至少包括：脊波导结构；脊波导结构包括半绝缘GaAs衬底、GaAs缓冲层、下接触层、有源区、上接触层、导热绝缘层、上金属层及下金属层。通过在器件侧面淀积导热绝缘层并覆盖金属，提供了器件横向的散热通道，较以往侧壁未覆盖金属的THz QCL散热能力更强。采用倒装封装方法，支撑基片采用硅等热导率高的材料，比正常封装器件的半绝缘GaAs衬底散热能力提高，同时具有更大的电极面积，也利于器件散热。新结构提高了THz QCL的温度特性、能量效率，有利于器件在连续或高占空比的脉冲状态下工作；器件制作方法可由标准半导体工艺制作，适于工业量产。
申请日期	2015-01-27
专利号	CN104538844B
专利状态	授权
申请号	CN201510041299.X
公开（公告）号	CN104538844B
IPC 分类号	H01S5/343 \| H01S5/024
专利代理人	余明伟
代理机构	上海光华专利事务所(普通合伙)
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49325
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院上海微系统与信息技术研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	姚辰,曹俊诚. 太赫兹量子级联激光器器件结构及其制作方法. CN104538844B[P]. 2018-10-26.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN104538844B.PDF（1152KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文