量子级联激光器相干阵列结构、激光器及其制造方法

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	量子级联激光器相干阵列结构、激光器及其制造方法
其他题名	量子级联激光器相干阵列结构、激光器及其制造方法
	张锦川; 刘峰奇; 梁平; 胡颖; 王利军; 刘俊岐; 王占国
	2018-05-25
专利权人	中国科学院半导体研究所
公开日期	2018-05-25
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	一种量子级联激光器相干阵列结构，包括：一衬底；一下波导层；一有源层，该有源层在横向被分成若干个不等宽度的微米条阵列，中间的微米条最宽，向两侧微米条宽度依次递减；一半绝缘InP：Fe层，该半绝缘InP：Fe层位于有源层的两侧且等宽度用来隔离微米条阵列；一上波导层。以及一种采用该相干阵列结构的量子级联激光器及其制造方法。本发明通过啁啾的有源脊宽度设计调整了微米条阵列间的增益分配，使基超模具有最低的波导损耗从而优先激射，从而改善了光束质量，同时利用半绝缘InP作为有源层的分隔区和光场的耦合区，不但实现了阵列的相干激射而且显著降低了有源区的工作温度，从而有利于提高器件的输出功率。
其他摘要	一种量子级联激光器相干阵列结构，包括：一衬底；一下波导层；一有源层，该有源层在横向被分成若干个不等宽度的微米条阵列，中间的微米条最宽，向两侧微米条宽度依次递减；一半绝缘InP：Fe层，该半绝缘InP：Fe层位于有源层的两侧且等宽度用来隔离微米条阵列；一上波导层。以及一种采用该相干阵列结构的量子级联激光器及其制造方法。本发明通过啁啾的有源脊宽度设计调整了微米条阵列间的增益分配，使基超模具有最低的波导损耗从而优先激射，从而改善了光束质量，同时利用半绝缘InP作为有源层的分隔区和光场的耦合区，不但实现了阵列的相干激射而且显著降低了有源区的工作温度，从而有利于提高器件的输出功率。
申请日期	2015-10-27
专利号	CN105244761B
专利状态	授权
申请号	CN201510706103.4
公开（公告）号	CN105244761B
IPC 分类号	H01S5/323 \| H01S5/024 \| H01S5/42 \| H01S5/30
专利代理人	宋焰琴
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49294
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院半导体研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	张锦川,刘峰奇,梁平,等. 量子级联激光器相干阵列结构、激光器及其制造方法. CN105244761B[P]. 2018-05-25.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN105244761B.PDF（740KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文