制备高选择比量子级联激光器脊波导结构的湿法腐蚀方法

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	制备高选择比量子级联激光器脊波导结构的湿法腐蚀方法
其他题名	制备高选择比量子级联激光器脊波导结构的湿法腐蚀方法
	梁平; 刘峰奇; 张锦川; 闫方亮; 胡颖; 王利军; 刘俊岐; 王占国
	2018-03-30
专利权人	中国科学院半导体研究所
公开日期	2018-03-30
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	一种制备高选择比量子级联激光器脊波导结构的湿法腐蚀方法，包括如下步骤：步骤1：在一量子级联激光器外延片上制备掩模层；步骤2：采用光刻的方法在掩模层制备图形，开出窗口；步骤3：使用非选择性腐蚀液，腐蚀腐蚀掉窗口内量子级联激光器外延片的盖层，暴露出有源层；步骤4：使用选择性腐蚀液，腐蚀掉暴露出的有源层，暴露出衬底；步骤5：再使用非选择性腐蚀液，腐蚀窗口的侧壁及衬底的表面，获得平滑的脊型波导侧壁，完成制备。本发明明显增大了脊表面宽度与有源区宽度的比值，减小了光学模式与表面等离激元之间的损耗，改善了器件的散热，从而提高了器件性能。同时此技术显著降低了工艺中套刻电注入窗口的难度且并没有增加工艺成本。
其他摘要	一种制备高选择比量子级联激光器脊波导结构的湿法腐蚀方法，包括如下步骤：步骤1：在一量子级联激光器外延片上制备掩模层；步骤2：采用光刻的方法在掩模层制备图形，开出窗口；步骤3：使用非选择性腐蚀液，腐蚀腐蚀掉窗口内量子级联激光器外延片的盖层，暴露出有源层；步骤4：使用选择性腐蚀液，腐蚀掉暴露出的有源层，暴露出衬底；步骤5：再使用非选择性腐蚀液，腐蚀窗口的侧壁及衬底的表面，获得平滑的脊型波导侧壁，完成制备。本发明明显增大了脊表面宽度与有源区宽度的比值，减小了光学模式与表面等离激元之间的损耗，改善了器件的散热，从而提高了器件性能。同时此技术显著降低了工艺中套刻电注入窗口的难度且并没有增加工艺成本。
申请日期	2015-06-15
专利号	CN104882788B
专利状态	授权
申请号	CN201510329218.6
公开（公告）号	CN104882788B
IPC 分类号	H01S5/30 \| H01S5/22
专利代理人	任岩
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49282
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院半导体研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	梁平,刘峰奇,张锦川,等. 制备高选择比量子级联激光器脊波导结构的湿法腐蚀方法. CN104882788B[P]. 2018-03-30.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN104882788B.PDF（88KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文