GaAs衬底ZnO微米棒端面出光的发光器件及其制备方法

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	GaAs衬底ZnO微米棒端面出光的发光器件及其制备方法
其他题名	GaAs衬底ZnO微米棒端面出光的发光器件及其制备方法
	杜国同; 史志锋; 董鑫; 张源涛; 张宝林
	2018-02-09
专利权人	大连芯冠科技有限公司
公开日期	2018-02-09
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	一种GaAs衬底ZnO微米棒端面出光的发光管或激光器及其制备方法，属于半导体发光器件及其制备方法技术领域。由下电极、衬底、ZnO微米棒、空穴注入层和上电极构成，ZnO微米棒沿着衬底的方向放置，并和衬底之间用焊料烧结在一起，ZnO微米棒周围用有机填充物填平，空穴注入层采用Li掺杂的p‑NiO薄膜材料，沿垂直于衬底的方向解理衬底和ZnO微米棒，解理形成的前、后端面构成激光器的前反射镜和后反射镜。本发明制备了GaAs或InP衬底ZnO微米棒端面出光的发光器件的增益区较长，可以提高器件的输出功率，其激光器件的谐振腔是法布里‑珀罗谐振腔，激光的方向性变好，进一步拓展了器件的应用范围。
其他摘要	一种GaAs衬底ZnO微米棒端面出光的发光管或激光器及其制备方法，属于半导体发光器件及其制备方法技术领域。由下电极、衬底、ZnO微米棒、空穴注入层和上电极构成，ZnO微米棒沿着衬底的<011>方向放置，并和衬底之间用焊料烧结在一起，ZnO微米棒周围用有机填充物填平，空穴注入层采用Li掺杂的p‑NiO薄膜材料，沿垂直于衬底的<011>方向解理衬底和ZnO微米棒，解理形成的前、后端面构成激光器的前反射镜和后反射镜。本发明制备了GaAs或InP衬底ZnO微米棒端面出光的发光器件的增益区较长，可以提高器件的输出功率，其激光器件的谐振腔是法布里‑珀罗谐振腔，激光的方向性变好，进一步拓展了器件的应用范围。
申请日期	2015-04-30
专利号	CN104953469B
专利状态	授权
申请号	CN201510217380.9
公开（公告）号	CN104953469B
IPC 分类号	H01S5/343 \| H01S5/10
专利代理人	王淑秋 \| 王恩远
代理机构	长春吉大专利代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49271
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	大连芯冠科技有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	杜国同,史志锋,董鑫,等. GaAs衬底ZnO微米棒端面出光的发光器件及其制备方法. CN104953469B[P]. 2018-02-09.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN104953469B.PDF（650KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文