Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
通过生长不同的有源芯层和无源芯层的多波长量子级联激光器 | |
其他题名 | 通过生长不同的有源芯层和无源芯层的多波长量子级联激光器 |
C·G·卡诺; F·谢; C-E·扎赫 | |
2017-12-22 | |
专利权人 | 统雷量子电子有限公司 |
公开日期 | 2017-12-22 |
授权国家 | 中国 |
专利类型 | 授权发明 |
摘要 | 公开了一种形成能够生成中红外激光辐射的激光源的方法,该方法包括:在基板上生长第一芯层结构;在一个或多个位置上蚀刻掉第一芯层结构;并且在基板上生长第二芯层结构。芯层结构中的至少一个包括以在3‑14μm的范围内的频率发射的量子级联增益介质。还公开了一种能够生成中红外激光辐射的激光源,该激光源包括量子级联芯层和第二芯层,量子级联芯层定位在基板上,用于在3‑14μm的范围内发射,第二芯层在基板上,在平面内相对于第一芯层定位。第二芯层是下列之一:a)无源波导芯层、b)第二量子级联芯层、以及c)半导体有源芯层区域。 |
其他摘要 | 公开了一种形成能够生成中红外激光辐射的激光源的方法,该方法包括:在基板上生长第一芯层结构;在一个或多个位置上蚀刻掉第一芯层结构;并且在基板上生长第二芯层结构。芯层结构中的至少一个包括以在3‑14μm的范围内的频率发射的量子级联增益介质。还公开了一种能够生成中红外激光辐射的激光源,该激光源包括量子级联芯层和第二芯层,量子级联芯层定位在基板上,用于在3‑14μm的范围内发射,第二芯层在基板上,在平面内相对于第一芯层定位。第二芯层是下列之一:a)无源波导芯层、b)第二量子级联芯层、以及c)半导体有源芯层区域。 |
申请日期 | 2013-11-27 |
专利号 | CN105164874B |
专利状态 | 授权 |
申请号 | CN201380067104.8 |
公开(公告)号 | CN105164874B |
IPC 分类号 | H01S5/34 | H01S5/40 | H01S5/026 | H01S5/125 |
专利代理人 | 冯剑明 |
代理机构 | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49251 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 统雷量子电子有限公司 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | C·G·卡诺,F·谢,C-E·扎赫. 通过生长不同的有源芯层和无源芯层的多波长量子级联激光器. CN105164874B[P]. 2017-12-22. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
CN105164874B.PDF(194KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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