通过生长不同的有源芯层和无源芯层的多波长量子级联激光器

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	通过生长不同的有源芯层和无源芯层的多波长量子级联激光器
其他题名	通过生长不同的有源芯层和无源芯层的多波长量子级联激光器
	C·G·卡诺; F·谢; C-E·扎赫
	2017-12-22
专利权人	统雷量子电子有限公司
公开日期	2017-12-22
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	公开了一种形成能够生成中红外激光辐射的激光源的方法，该方法包括：在基板上生长第一芯层结构；在一个或多个位置上蚀刻掉第一芯层结构；并且在基板上生长第二芯层结构。芯层结构中的至少一个包括以在3‑14μm的范围内的频率发射的量子级联增益介质。还公开了一种能够生成中红外激光辐射的激光源，该激光源包括量子级联芯层和第二芯层，量子级联芯层定位在基板上，用于在3‑14μm的范围内发射，第二芯层在基板上，在平面内相对于第一芯层定位。第二芯层是下列之一：a)无源波导芯层、b)第二量子级联芯层、以及c)半导体有源芯层区域。
其他摘要	公开了一种形成能够生成中红外激光辐射的激光源的方法，该方法包括：在基板上生长第一芯层结构；在一个或多个位置上蚀刻掉第一芯层结构；并且在基板上生长第二芯层结构。芯层结构中的至少一个包括以在3‑14μm的范围内的频率发射的量子级联增益介质。还公开了一种能够生成中红外激光辐射的激光源，该激光源包括量子级联芯层和第二芯层，量子级联芯层定位在基板上，用于在3‑14μm的范围内发射，第二芯层在基板上，在平面内相对于第一芯层定位。第二芯层是下列之一：a)无源波导芯层、b)第二量子级联芯层、以及c)半导体有源芯层区域。
申请日期	2013-11-27
专利号	CN105164874B
专利状态	授权
申请号	CN201380067104.8
公开（公告）号	CN105164874B
IPC 分类号	H01S5/34 \| H01S5/40 \| H01S5/026 \| H01S5/125
专利代理人	冯剑明
代理机构	广州嘉权专利商标事务所有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49251
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	统雷量子电子有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	C·G·卡诺,F·谢,C-E·扎赫. 通过生长不同的有源芯层和无源芯层的多波长量子级联激光器. CN105164874B[P]. 2017-12-22.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN105164874B.PDF（194KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文