非对称结构的无铝有源区808nm大功率量子阱激光器

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	非对称结构的无铝有源区808nm大功率量子阱激光器
其他题名	非对称结构的无铝有源区808nm大功率量子阱激光器
	李沛旭; 李树强; 夏伟; 张新; 汤庆敏; 任忠祥; 徐现刚
	2009-12-23
专利权人	山东华光光电子股份有限公司
公开日期	2009-12-23
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	本发明提供了一种非对称结构的无铝有源区808nm大功率量子阱激光器，其结构由下至上依次包括衬底、缓冲层、N型下限制层、下波导层、量子阱层、上波导层、势垒限制层、P型上限制层、过渡层和欧姆接触层，上波导层和下波导层采用无铝材料镓铟磷，量子阱层为铟镓砷磷材料，波导层和量子阱层共同组成无铝有源区，上限制层与上波导层之间具有一层厚度为50nm-150nm、带隙宽于上限制层并由P型铝镓铟磷材料形成的势垒限制层。本发明能够增加P型材料区的光限制因子，降低光向P型材料区的泄漏，减少高掺杂区的载流子光吸收损耗，提高激光器的工作效率，同时该结构提高了有源区对载流子的限制作用，降低了载流子的泄漏，也有利于阈值电流的减小。
其他摘要	本发明提供了一种非对称结构的无铝有源区808nm大功率量子阱激光器，其结构由下至上依次包括衬底、缓冲层、N型下限制层、下波导层、量子阱层、上波导层、势垒限制层、P型上限制层、过渡层和欧姆接触层，上波导层和下波导层采用无铝材料镓铟磷，量子阱层为铟镓砷磷材料，波导层和量子阱层共同组成无铝有源区，上限制层与上波导层之间具有一层厚度为50nm-150nm、带隙宽于上限制层并由P型铝镓铟磷材料形成的势垒限制层。本发明能够增加P型材料区的光限制因子，降低光向P型材料区的泄漏，减少高掺杂区的载流子光吸收损耗，提高激光器的工作效率，同时该结构提高了有源区对载流子的限制作用，降低了载流子的泄漏，也有利于阈值电流的减小。
申请日期	2008-08-11
专利号	CN100574027C
专利状态	授权
申请号	CN200810138792.3
公开（公告）号	CN100574027C
IPC 分类号	H01S5/343 \| H01S5/20
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49228
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	山东华光光电子股份有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	李沛旭,李树强,夏伟,等. 非对称结构的无铝有源区808nm大功率量子阱激光器. CN100574027C[P]. 2009-12-23.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN100574027C.PDF（286KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文