利用基质滤波的窄线宽外腔面发射激光器

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	利用基质滤波的窄线宽外腔面发射激光器
其他题名	利用基质滤波的窄线宽外腔面发射激光器
	张鹏; 蒋茂华; 朱仁江; 范嗣强; 张玉
	2016-07-27
专利权人	重庆师范大学
公开日期	2016-07-27
授权国家	中国
专利类型	实用新型
摘要	本实用新型公开了一种利用基质滤波的窄线宽外腔面发射激光器，包括泵浦光学系统、半导体增益薄片和耦合输出镜，所述半导体增益薄片由上到下依次包括基质部分、多量子阱有源层和布喇格反射层；所述基质部分厚度为数百微米左右，不但对激光透明，同时对输出激光形成标准具效应，极大减少输出激光的模式，压窄激光器的线宽，得到窄线宽激光输出；传统的面发射激光器基质处于增益芯片底部，最后会被刻蚀掉。本实用新型将基质置于增益芯片顶部，并有效利用其标准具效应，获得窄线宽激光输出的同时，免去了面发射激光器制作工艺中基质刻蚀的复杂繁琐过程。
其他摘要	本实用新型公开了一种利用基质滤波的窄线宽外腔面发射激光器，包括泵浦光学系统、半导体增益薄片和耦合输出镜，所述半导体增益薄片由上到下依次包括基质部分、多量子阱有源层和布喇格反射层；所述基质部分厚度为数百微米左右，不但对激光透明，同时对输出激光形成标准具效应，极大减少输出激光的模式，压窄激光器的线宽，得到窄线宽激光输出；传统的面发射激光器基质处于增益芯片底部，最后会被刻蚀掉。本实用新型将基质置于增益芯片顶部，并有效利用其标准具效应，获得窄线宽激光输出的同时，免去了面发射激光器制作工艺中基质刻蚀的复杂繁琐过程。
申请日期	2016-03-11
专利号	CN205406955U
专利状态	失效
申请号	CN201620188526.1
公开（公告）号	CN205406955U
IPC 分类号	H01S5/34 \| H01S5/06 \| H01S5/18 \| H01S5/024
专利代理人	谢殿武
代理机构	北京海虹嘉诚知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49190
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	重庆师范大学
推荐引用方式 GB/T 7714	张鹏,蒋茂华,朱仁江,等. 利用基质滤波的窄线宽外腔面发射激光器. CN205406955U[P]. 2016-07-27.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN205406955U.PDF（97KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文