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原位实时探测薄膜生长状况的光反射差装置和方法
其他题名原位实时探测薄膜生长状况的光反射差装置和方法
费义艳; 吕惠宾; 朱湘东; 陈正豪; 周岳亮; 金奎娟; 程波林; 杨国桢
2007-02-28
专利权人中国科学院物理研究所
公开日期2007-02-28
授权国家中国
专利类型授权发明
摘要本发明涉及原位实时探测薄膜生长状况的光反射差装置和方法,该装置包括:激光器输出光的前方安置起偏器,起偏器出射的偏振光经过前方的光路上安置~光偏振调制器,输出光路上安置一电光调制器件,经过调制的输出光入射外延室窗口后,入射到被探测的外延基片表面,经外延层膜表面反射后的光从外延室窗口输出,通过检偏器后输出到探测器,探测器、放大器和数据采集处理系统电联接。该装置独立于制膜系统外,不受制膜温度和气压等条件的限制。该方法能同时获得基频和倍频两路信号,可探测原胞层状外延生长的信息,具有应用面广、获取信息多、操作简便等特点,是用于监控薄膜层状外延生长和研究成膜机理的有力工具。
其他摘要本发明涉及原位实时探测薄膜生长状况的光反射差装置和方法,该装置包括:激光器输出光的前方安置起偏器,起偏器出射的偏振光经过前方的光路上安置~光偏振调制器,输出光路上安置一电光调制器件,经过调制的输出光入射外延室窗口后,入射到被探测的外延基片表面,经外延层膜表面反射后的光从外延室窗口输出,通过检偏器后输出到探测器,探测器、放大器和数据采集处理系统电联接。该装置独立于制膜系统外,不受制膜温度和气压等条件的限制。该方法能同时获得基频和倍频两路信号,可探测原胞层状外延生长的信息,具有应用面广、获取信息多、操作简便等特点,是用于监控薄膜层状外延生长和研究成膜机理的有力工具。
申请日期2003-08-21
专利号CN1302310C
专利状态失效
申请号CN03153938.6
公开(公告)号CN1302310C
IPC 分类号G02B27/28 | H01S5/00 | G02B5/30 | G02F1/03 | G01N21/21
专利代理人王凤华
代理机构北京泛华伟业知识产权代理有限公司
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49185
专题半导体激光器专利数据库
作者单位中国科学院物理研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
费义艳,吕惠宾,朱湘东,等. 原位实时探测薄膜生长状况的光反射差装置和方法. CN1302310C[P]. 2007-02-28.
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