Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 气相共形薄膜生长制备光子量子点的方法 | |
| 其他题名 | 气相共形薄膜生长制备光子量子点的方法 |
| 陈坤基; 陈三; 钱波; 李卫; 张贤高; 李伟; 徐骏; 黄信凡 | |
| 2009-02-25 | |
| 专利权人 | 南京大学 |
| 公开日期 | 2009-02-25 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 气相共形薄膜生长制备的光子量子点，在玻璃和硅衬底先设有横向尺寸为0.5-5μm，高度为0.4-2μm的柱形平台；在其上设有以共形薄膜生长制备有源层为a-SiNz的受DBR三维限制微腔；其中设有两个DBR位于有源层两侧，微腔的谐振波长为λ，DBR包括6±2个周期的低折射率层和高折射层的a-SiNx/a-SiNy薄膜，每个折射层厚度为λ/(4n)；n是折射率，有源层是折射率在低折射率层和高折射率层之间a-SiNx薄膜，厚度为λ/(2n)。 |
| 其他摘要 | 气相共形薄膜生长制备的光子量子点，在玻璃和硅衬底先设有横向尺寸为0.5-5μm，高度为0.4-2μm的柱形平台；在其上设有以共形薄膜生长制备有源层为a-SiNz的受DBR三维限制微腔；其中设有两个DBR位于有源层两侧，微腔的谐振波长为λ，DBR包括6±2个周期的低折射率层和高折射层的a-SiNx/a-SiNy薄膜，每个折射层厚度为λ/(4n)；n是折射率，有源层是折射率在低折射率层和高折射率层之间a-SiNx薄膜，厚度为λ/(2n)。 |
| 申请日期 | 2007-04-05 |
| 专利号 | CN100464472C |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN200710020973.1 |
| 公开（公告）号 | CN100464472C |
| IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S5/10 |
| 专利代理人 | 汤志武 | 王鹏翔 |
| 代理机构 | 南京天翼专利代理有限责任公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49182 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 南京大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈坤基,陈三,钱波,等. 气相共形薄膜生长制备光子量子点的方法. CN100464472C[P]. 2009-02-25. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN100464472C.PDF（647KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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