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牺牲波导测试结构
其他题名牺牲波导测试结构
N.D.怀特布里德; L.N.朗利; A.C.卡特
2015-12-16
专利权人奥兰若技术有限公司
公开日期2015-12-16
授权国家中国
专利类型授权发明
摘要牺牲光学测试结构被构造在预分开的光学芯片(10)的晶片(100)上,用于测试预分开的光学芯片(10)的光学功能。牺牲光学结构在从晶片(100)分开光学芯片(10)时被停用,并且被分开的光学芯片(10)可以用于它们期望的端功能。测试结构可以留在分开的光学芯片(10)上或者它们可以被丢弃。
其他摘要牺牲光学测试结构被构造在预分开的光学芯片(10)的晶片(100)上,用于测试预分开的光学芯片(10)的光学功能。牺牲光学结构在从晶片(100)分开光学芯片(10)时被停用,并且被分开的光学芯片(10)可以用于它们期望的端功能。测试结构可以留在分开的光学芯片(10)上或者它们可以被丢弃。
申请日期2010-03-30
专利号CN102449456B
专利状态授权
申请号CN201080023998.7
公开(公告)号CN102449456B
IPC 分类号G01M11/00 | H01S5/02
专利代理人马丽娜 | 蒋骏
代理机构中国专利代理(香港)有限公司
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49173
专题半导体激光器专利数据库
作者单位奥兰若技术有限公司
推荐引用方式
GB/T 7714
N.D.怀特布里德,L.N.朗利,A.C.卡特. 牺牲波导测试结构. CN102449456B[P]. 2015-12-16.
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文件名称/大小 文献类型 版本类型 开放类型 使用许可
CN102449456B.PDF(749KB)专利 开放获取CC BY-NC-SA请求全文
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