III族氮化物半导体激光器元件及其制作方法

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	III族氮化物半导体激光器元件及其制作方法
其他题名	III族氮化物半导体激光器元件及其制作方法
	善积祐介; 盐谷阳平; 京野孝史; 足立真宽; 秋田胜史; 上野昌纪; 住友隆道; 德山慎司; 片山浩二; 中村孝夫; 池上隆俊
	2014-07-02
专利权人	住友电气工业株式会社
公开日期	2014-07-02
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	一种III族氮化物半导体激光器元件及其制作方法，在六方晶系III族氮化物的c轴朝向a轴方向倾斜的支撑基体的半极性面上，具有能够实现低阈值电流的激光谐振器。作为激光谐振器的第1和第2切断面(27、29)与a-n面交叉。III族氮化物半导体激光器元件(11)具有在a-n面和半极性面(17a)的交叉线方向上延伸的激光波导。因此，能够利用可实现低阈值电流的能带跃迁的发光。在激光器结构体(13)中，第1面(13a)是第2面(13b)的相反侧的面。第1及第2切断面从第1面的边缘(13c)延伸至第2面的边缘(13d)。切断面不通过干法蚀刻形成，并且与c面、m面或a面等现有的解理面不同。
其他摘要	一种III族氮化物半导体激光器元件及其制作方法，在六方晶系III族氮化物的c轴朝向a轴方向倾斜的支撑基体的半极性面上，具有能够实现低阈值电流的激光谐振器。作为激光谐振器的第1和第2切断面(27、29)与a-n面交叉。III族氮化物半导体激光器元件(11)具有在a-n面和半极性面(17a)的交叉线方向上延伸的激光波导。因此，能够利用可实现低阈值电流的能带跃迁的发光。在激光器结构体(13)中，第1面(13a)是第2面(13b)的相反侧的面。第1及第2切断面从第1面的边缘(13c)延伸至第2面的边缘(13d)。切断面不通过干法蚀刻形成，并且与c面、m面或a面等现有的解理面不同。
申请日期	2010-09-10
专利号	CN102025104B
专利状态	失效
申请号	CN201010284406.9
公开（公告）号	CN102025104B
IPC 分类号	H01S5/10 \| H01S5/343
专利代理人	关兆辉 \| 穆德骏
代理机构	中原信达知识产权代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49120
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	住友电气工业株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	善积祐介,盐谷阳平,京野孝史,等. III族氮化物半导体激光器元件及其制作方法. CN102025104B[P]. 2014-07-02.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN102025104B.PDF（1699KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文