Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| Vertical cavity semiconductor laser | |
| 其他题名 | Vertical cavity semiconductor laser |
| CHOQUETTE, KENT D.; FREUND, ROBERT S.; HONG, MINGHWEI; VAKHSHOORI, DARYOOSH | |
| 1996-09-24 | |
| 专利权人 | LUCENT TECHNOLOGIES INC. |
| 公开日期 | 1996-09-24 |
| 授权国家 | 美国 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | This invention involves a vertical cavity surface emitting laser ("VCSEL") having a Group III-V semiconductor epitaxial mesa structure with an electrically insulating sidewall located on the mesa's sidewalls for confinement of the optical radiation generated in the laser. A suitably doped Group III-V epitaxial layer or a layer of insulating material such as silicon dioxide acts as the insulating sidewall layer. Advantageously, the structure has a self-aligned ohmic contact layer located everywhere on the top surface of the epitaxial mesa structure. |
| 其他摘要 | 本发明涉及一种垂直腔表面发射激光器（“VCSEL”），其具有III-V族半导体外延台面结构，其具有位于台面侧壁上的电绝缘侧壁，用于限制激光器中产生的光辐射。适当掺杂的III-V族外延层或诸如二氧化硅的绝缘材料层用作绝缘侧壁层。有利地，该结构具有位于外延台面结构的顶表面上的任何位置的自对准欧姆接触层。 |
| 申请日期 | 1995-06-06 |
| 专利号 | US5559053 |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | US08/468574 |
| 公开（公告）号 | US5559053 |
| IPC 分类号 | H01S5/183 | H01S5/00 | H01S5/20 | H01L21/20 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49011 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | LUCENT TECHNOLOGIES INC. |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | CHOQUETTE, KENT D.,FREUND, ROBERT S.,HONG, MINGHWEI,et al. Vertical cavity semiconductor laser. US5559053[P]. 1996-09-24. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| US5559053.PDF（153KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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