Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 一种基于多环耦合结构的高Q值半导体激光器 | |
| 其他题名 | 一种基于多环耦合结构的高Q值半导体激光器 |
| 张斯钰; 乔忠良; 薄报学; 高欣; 曲轶; 李辉; 王玉霞; 李占国; 芦鹏; 王勇; 李特; 李再金; 邹永刚; 李林; 刘国军 | |
| 2013-04-10 | |
| 专利权人 | 长春理工大学 |
| 公开日期 | 2013-04-10 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 本发明公开了一种基于多环耦合结构的高Q值半导体激光器结构，由多个在半导体激光器外延片上刻蚀的脊形环相互耦合构成，由两个四分之一环耦合输出。该器件结构和工艺属于半导体光电子器件技术领域。本发明利用不同结构环形激光器的不同Q值特性，相互耦合后光束Q值特性进一步提高，器件只需在前腔面镀腔面膜，后腔面不需要镀膜或只需镀层增透膜。该结构器件结构、制备工艺简单，成本低，能提高激光器的Q值，提高了器件效率，大幅改善器件输出光束质量。该技术方案适用于各种波长的、集成的环形半导体激光器。 |
| 其他摘要 | 本发明公开了一种基于多环耦合结构的高Q值半导体激光器结构，由多个在半导体激光器外延片上刻蚀的脊形环相互耦合构成，由两个四分之一环耦合输出。该器件结构和工艺属于半导体光电子器件技术领域。本发明利用不同结构环形激光器的不同Q值特性，相互耦合后光束Q值特性进一步提高，器件只需在前腔面镀腔面膜，后腔面不需要镀膜或只需镀层增透膜。该结构器件结构、制备工艺简单，成本低，能提高激光器的Q值，提高了器件效率，大幅改善器件输出光束质量。该技术方案适用于各种波长的、集成的环形半导体激光器。 |
| 申请日期 | 2010-11-10 |
| 专利号 | CN102013629B |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN201010537330 |
| 公开（公告）号 | CN102013629B |
| IPC 分类号 | H01S5/026 | H01S5/22 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48649 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 长春理工大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张斯钰,乔忠良,薄报学,等. 一种基于多环耦合结构的高Q值半导体激光器. CN102013629B[P]. 2013-04-10. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN102013629B.PDF（194KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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