Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
一种GaAs基近红外波段含Sb多层量子点与非对称量子阱耦合激光器结构 | |
其他题名 | 一种GaAs基近红外波段含Sb多层量子点与非对称量子阱耦合激光器结构 |
尤明慧; 于新雨; 李占国; 刘景圣; 李士军; 欧仁侠; 高欣; 樊娟娟; 孙启响; 于秀玲; 李雪; 梁雪梅; 史明非; 孙连志 | |
2017-01-18 | |
专利权人 | 吉林农业大学 |
公开日期 | 2017-01-18 |
授权国家 | 中国 |
专利类型 | 授权发明 |
摘要 | 本发明专利是一种GaAs基近红外波段含Sb多层量子点与非对称量子阱耦合激光器结构,即采用生长的多层InGaSb量子点与能带非对称量子阱耦合结构,来提高激光器材料、器件的性能。这种创意会在很大程度上增大量子点的体密度,增加对载流子的俘获能力,对量子点分布的均匀性也有所改善,增加量子点的尺寸和引入Sb基量子点,能够使发光谱峰向通讯波段的长波长移动,波长可以覆盖5μm,从而达到拓展波长、提高激光器特征温度和降低阈值电流等目的。这一结构再加之GaAs基工艺的成熟性,易于与现有光电子器件集成等特点,GaAs基长波长含Sb量子点激光器将具有十分广阔的应用前景,对实现性能优异的中红外半导体激光器将具有重要意义。 |
其他摘要 | 本发明专利是一种GaAs基近红外波段含Sb多层量子点与非对称量子阱耦合激光器结构,即采用生长的多层InGaSb量子点与能带非对称量子阱耦合结构,来提高激光器材料、器件的性能。这种创意会在很大程度上增大量子点的体密度,增加对载流子的俘获能力,对量子点分布的均匀性也有所改善,增加量子点的尺寸和引入Sb基量子点,能够使发光谱峰向通讯波段的长波长移动,波长可以覆盖5μm,从而达到拓展波长、提高激光器特征温度和降低阈值电流等目的。这一结构再加之GaAs基工艺的成熟性,易于与现有光电子器件集成等特点,GaAs基长波长含Sb量子点激光器将具有十分广阔的应用前景,对实现性能优异的中红外半导体激光器将具有重要意义。 |
申请日期 | 2014-04-22 |
专利号 | CN104037618B |
专利状态 | 失效 |
申请号 | CN201410172871 |
公开(公告)号 | CN104037618B |
IPC 分类号 | H01S5/343 |
专利代理人 | - |
代理机构 | - |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48358 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 吉林农业大学 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 尤明慧,于新雨,李占国,等. 一种GaAs基近红外波段含Sb多层量子点与非对称量子阱耦合激光器结构. CN104037618B[P]. 2017-01-18. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
CN104037618B.PDF(91KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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