一种生长可控量子点和量子环的方法

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	一种生长可控量子点和量子环的方法
其他题名	一种生长可控量子点和量子环的方法
	赵暕; 陈涌海; 王占国; 徐波
	2011-02-02
专利权人	中国科学院半导体研究所
公开日期	2011-02-02
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	本发明公开了一种生长可控量子点和量子环的方法，该方法包括：制备μm量级的包含有条形区域、方孔区域和圆孔区域的光刻板；对该光刻板图形衬底进行普通光刻；湿法腐蚀制备图形衬底；采用一定的生长条件和沉积量的分子束外延MBE生长方法，在同一衬底片上生长出量子点密度从高到低、量子环密度从低到高变化且位置可控的量子点和量子环结构。利用本发明，通过引入图形衬底的衬底处理方式，在同一生长条件下、同一衬底上不同的区域制备出不同形貌的图形衬底，使得在平面上形成的量子点或者量子环的形貌和分布发生变化，实现了对量子点和量子环密度和分布位置的调制。
其他摘要	本发明公开了一种生长可控量子点和量子环的方法，该方法包括：制备μm量级的包含有条形区域、方孔区域和圆孔区域的光刻板；对该光刻板图形衬底进行普通光刻；湿法腐蚀制备图形衬底；采用一定的生长条件和沉积量的分子束外延MBE生长方法，在同一衬底片上生长出量子点密度从高到低、量子环密度从低到高变化且位置可控的量子点和量子环结构。利用本发明，通过引入图形衬底的衬底处理方式，在同一生长条件下、同一衬底上不同的区域制备出不同形貌的图形衬底，使得在平面上形成的量子点或者量子环的形貌和分布发生变化，实现了对量子点和量子环密度和分布位置的调制。
申请日期	2008-04-23
专利号	CN101567521B
专利状态	失效
申请号	CN200810104766
公开（公告）号	CN101567521B
IPC 分类号	H01L21/00 \| H01L33/00 \| H01S5/34 \| H01S5/00 \| H01S5/343
专利代理人	周国城
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48323
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院半导体研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	赵暕,陈涌海,王占国,等. 一种生长可控量子点和量子环的方法. CN101567521B[P]. 2011-02-02.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN101567521B.PDF（961KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文