半导体芯片和用于制造半导体芯片的方法

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	半导体芯片和用于制造半导体芯片的方法
其他题名	半导体芯片和用于制造半导体芯片的方法
	卡尔·恩格尔; 卢茨·赫佩尔; 克里斯托夫·艾克勒; 马蒂亚斯·扎巴蒂尔; 安德烈亚斯·魏玛
	2015-04-22
专利权人	欧司朗光电半导体有限公司
公开日期	2015-04-22
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	本发明涉及一种半导体芯片（1），其具有半导体本体（2），该半导体本体包括带有设计用于产生辐射的有源区（25）的半导体层序列。在半导体本体（2）上设置有反射结构（3），反射结构具有反射层（4）以及至少局部地设置在反射层和半导体本体之间的介电层结构（5）。介电层结构（5）具有多个介电层（51，52），借助介电层形成介电反射结构。介电层结构（5）具有凹处（55）。在半导体本体（2）上设置有接触结构（6），该接触结构设置在介电层结构（5）的至少一个凹处（55）中。此外，提出了一种用于制造半导体芯片的方法。
其他摘要	本发明涉及一种半导体芯片（1），其具有半导体本体（2），该半导体本体包括带有设计用于产生辐射的有源区（25）的半导体层序列。在半导体本体（2）上设置有反射结构（3），反射结构具有反射层（4）以及至少局部地设置在反射层和半导体本体之间的介电层结构（5）。介电层结构（5）具有多个介电层（51，52），借助介电层形成介电反射结构。介电层结构（5）具有凹处（55）。在半导体本体（2）上设置有接触结构（6），该接触结构设置在介电层结构（5）的至少一个凹处（55）中。此外，提出了一种用于制造半导体芯片的方法。
申请日期	2008-04-24
专利号	CN102779917B
专利状态	授权
申请号	CN201210270367.6
公开（公告）号	CN102779917B
IPC 分类号	H01L33/40 \| H01L33/38 \| H01S5/00 \| H01L33/00
专利代理人	王萍 \| 陈炜
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48309
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	欧司朗光电半导体有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	卡尔·恩格尔,卢茨·赫佩尔,克里斯托夫·艾克勒,等. 半导体芯片和用于制造半导体芯片的方法. CN102779917B[P]. 2015-04-22.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN102779917B.PDF（1353KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文