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光半导体器件
其他题名光半导体器件
秋山知之
2016-11-09
专利权人富士通株式会社
公开日期2016-11-09
授权国家中国
专利类型授权发明
摘要本发明的光半导体器件,具有半导体衬底上的激光振荡器和所述半导体衬底上的光调制器;所述激光振荡器的一对反射镜中的至少一个反射镜为环形镜,所述环形镜具有环形波导路径和在所述环形波导路径上串联插入的多个第一环谐振器;所述光调制器具有沿着调制器波导路径级联连接的多个第二环谐振器;所述第一环谐振器的通频带宽度设定为比所述第二环谐振器的通频带宽度更宽。
其他摘要本发明的光半导体器件,具有半导体衬底上的激光振荡器和所述半导体衬底上的光调制器;所述激光振荡器的一对反射镜中的至少一个反射镜为环形镜,所述环形镜具有环形波导路径和在所述环形波导路径上串联插入的多个第一环谐振器;所述光调制器具有沿着调制器波导路径级联连接的多个第二环谐振器;所述第一环谐振器的通频带宽度设定为比所述第二环谐振器的通频带宽度更宽。
申请日期2012-03-28
专利号CN104170189B
专利状态失效
申请号CN201280071347
公开(公告)号CN104170189B
IPC 分类号H01S5/50 | H01S5/14
专利代理人金相允 | 向勇
代理机构隆天知识产权代理有限公司
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48308
专题半导体激光器专利数据库
作者单位富士通株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
秋山知之. 光半导体器件. CN104170189B[P]. 2016-11-09.
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CN104170189B.PDF(2003KB)专利 开放获取CC BY-NC-SA请求全文
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