Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 第13族氮化物晶体、所述晶体衬底及所述晶体制备方法 | |
| 其他题名 | 第13族氮化物晶体、所述晶体衬底及所述晶体制备方法 |
| 林昌弘; 佐藤隆; 木村千春; 三好直哉; 村上明繁; 三宅信辅; 和田纯一; 皿山正二 | |
| 2016-09-21 | |
| 专利权人 | 株式会社理光 |
| 公开日期 | 2016-09-21 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 本发明涉及一种具有六方晶体结构的第13族氮化物晶体，其包含至少一个氮原子和至少一个从B、Al、Ga、In和Tl组成的组中选择的金属原子。平行于c‑轴的横截面中底面位错的位错密度为104cm‑2或更大。 |
| 其他摘要 | 本发明涉及一种具有六方晶体结构的第13族氮化物晶体，其包含至少一个氮原子和至少一个从B、Al、Ga、In和Tl组成的组中选择的金属原子。平行于c‑轴的横截面中底面位错的位错密度为104cm‑2或更大。 |
| 申请日期 | 2013-09-13 |
| 专利号 | CN103668460B |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | CN201310631284.X |
| 公开（公告）号 | CN103668460B |
| IPC 分类号 | C30B29/38 | C30B29/40 | C30B25/02 | H01L33/00 | H01S5/323 |
| 专利代理人 | 张祥 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48300 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社理光 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 林昌弘,佐藤隆,木村千春,等. 第13族氮化物晶体、所述晶体衬底及所述晶体制备方法. CN103668460B[P]. 2016-09-21. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN103668460B.PDF（2368KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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